WSD60N10GDN56

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):125W

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:125W
阈值电压:2.5V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流:60A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:DFN8_5X6MM
反向传输电容Crss:6.5pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:49.9nC
配置:单路
原产国家:China Taiwan
输入电容:2.604nF
应用等级:Consumer
漏源电压(Vdss):100V
认证信息:RoHS
栅极电荷(Qg):49.9nC@10V
高度:1.10mm
晶体管类型:N沟道
应用:Consumer
价格梯度 价格
1+¥2.8120
30+¥2.7170
100+¥2.5270
500+¥2.3370
1000+¥2.2420
包装:1 库存:4888