

WSD60N10GDN56
品牌
WINSOK
供应商

分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):125W
物料参数
安装类型: | SMT |
功率耗散: | 125W |
阈值电压: | 2.5V@250µA |
包装: | Tape/reel |
连续漏极电流: | 60A |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
封装/外壳: | DFN8_5X6MM |
反向传输电容Crss: | 6.5pF |
工作温度: | -55℃~+150℃ |
充电电量: | 49.9nC |
配置: | 单路 |
原产国家: | China Taiwan |
输入电容: | 2.604nF |
应用等级: | Consumer |
漏源电压(Vdss): | 100V |
认证信息: | RoHS |
栅极电荷(Qg): | 49.9nC@10V |
高度: | 1.10mm |
晶体管类型: | N沟道 |
应用: | Consumer |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥2.8120 |
30+ | ¥2.7170 |
100+ | ¥2.5270 |
500+ | ¥2.3370 |
1000+ | ¥2.2420 |
包装:1 | 库存:4888 |