WSD60N10GDN56
品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：125W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 击穿电压: | 100V |
| 阈值电压: | 2.5V@250µA |
| 额定功率: | 125W |
| 原始制造商: | Winsok power Semiconductor CO., LTD. |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 8.5mΩ@10V,10A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 60A |
| 封装/外壳: | DFN8_5X6MM |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 栅极电荷(Qg): | 49.9nC@10V |
| 零件状态: | Active |
| 高度: | 1.10mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.8120 |
| 30+ | ¥2.7170 |
| 100+ | ¥2.5270 |
| 500+ | ¥2.3370 |
| 1000+ | ¥2.2420 |
| 包装：1 | 库存：4884 |