AP50N06K
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 60W |
| 阈值电压: | 1.65V@250µA |
| 额定功率: | 60W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 13mΩ@10V,20A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 50A |
| 存储温度: | -55℃~+175℃ |
| 长x宽/尺寸: | 6.80 x 6.30mm |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 漏极电流: | 50A |
| 反向传输电容Crss: | 80pF@25V |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 配置: | 单路 |
| 输入电容: | 1.92nF |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 栅极电荷(Qg): | 36nC |
| 高度: | 6.20mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |