SVF12N60F

品牌
SILAN
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):51W TO220F-3L

物料参数

安装类型:插件
是否无铅:Yes
功率耗散:51W
击穿电压:600V
阈值电压:4V
包装:Tube packing
极性:N-沟道
连续漏极电流:12A
封装/外壳:TO-220F-3
栅极源极击穿电压:±30V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
Vgs(Max):±30V
最小包装:50pcs
漏源电压(Vdss):600V
导通电阻(RDS(on):750mΩ@10V
高度:15.87mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥3.4820
包装:1 库存:39