SVF12N60F
品牌
SILAN
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：51W TO220F-3L
物料参数
| 安装类型: | 插件 |
| 是否无铅: | Yes |
| 击穿电压: | 600V |
| 阈值电压: | 4V@250μA |
| 额定功率: | 51W |
| 原始制造商: | Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd. |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 750mΩ@10V,6A |
| 包装: | Tube packing |
| 连续漏极电流: | 12A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 10.16 x 4.40mm |
| 封装/外壳: | TO220F-3L |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 14pF |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 漏源电压(Vdss): | 600V |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.4820 |
| 包装：1 | 库存：44 |