AP4910GD

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):30/-40A 功率(Pd):45W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ALLPOWER
阈值电压:1.6V
原始制造商:Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ
包装:Tape/reel
极性:N-沟道,P-沟道
连续漏极电流:30A
长x宽/尺寸:5.75 x 4.90mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:PDFN8_5X6MM
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:+150℃
配置:双路
原产国家:China
输入电容:980pF
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):22.9nC
高度:1.00mm
零件状态:Active
价格梯度 价格
1+¥1.2435
10+¥1.1968
100+¥1.0846
500+¥1.0285
包装:1 库存:2826