AP4910GD

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):30/-40A 功率(Pd):45W

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:45W
击穿电压:40V
阈值电压:1.6V
包装:Tape/reel
极性:N-沟道,P-沟道
原产地:China
连续漏极电流:30A
长x宽/尺寸:5.75 x 4.90mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:PDFN-8(5x6)
工作温度:+150℃(TJ)
配置:双路
Vgs(Max):±20V
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):22.9nC
高度:1.00mm
类型:1个N沟道+1个P沟道
价格梯度 价格
5+¥2.2304
50+¥1.8820
150+¥1.7406
500+¥1.5398
2500+¥0.8297
包装:5 库存:130