AP4910GD

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):30/-40A 功率(Pd):45W

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:45W
击穿电压:40V
阈值电压:1.6V
包装:Tape/reel
极性:N-沟道,P-沟道
连续漏极电流:30A
长x宽/尺寸:5.75 x 4.90mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:PDFN-8(5x6)
工作温度:+150℃
配置:双路
原产国家:China
Vgs(Max):±20V
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):22.9nC
高度:1.00mm
类型:1个N沟道+1个P沟道
价格梯度 价格
5+¥1.7120
50+¥1.3089
150+¥1.1361
包装:5 库存:333