AP68N06G

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):104W

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
击穿电压:60V
阈值电压:3V
额定功率:104W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,25A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:50A
长x宽/尺寸:5.85 x 5.00mm
封装/外壳:PDFN8_5X6MM
元件生命周期:Active
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):33nC
高度:0.95mm
类型:1个N沟道
引脚数:5Pin