SPT40N120T1B
品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
1200V/40A沟槽场阻IGBT
物料参数
| 安装类型: | 插件 |
| 正向电流: | 80A |
| 品牌: | SPTECH |
| 关断损耗: | 0.6mJ |
| 功率耗散: | 260W |
| 原始制造商: | SPTECH Electronics Co. Ltd |
| 额定功率: | 416W |
| Vce饱和压降: | 1.7V |
| 包装: | Tube packing |
| 集射极击穿电压Vce(Max): | 1.2KV |
| 跃迁频率: | - |
| 导通损耗: | 2.2mJ |
| 存储温度: | -40℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 工作温度: | -40℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 最小包装: | 30pcs |
| 栅极电荷(Qg): | 270nC@40A,15V |
| 晶体管类型: | FS(场截止) |
| DC电流增益(hFE): | - |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥13.0000 |
| 10+ | ¥12.0000 |
| 30+ | ¥11.8000 |
| 包装：1 | 库存：0 |