AP3415E

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
P沟道功率MOSFET SOT23 VDS=20V VGS=±10V ID=4A

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ALLPOWER
击穿电压:20V
功率耗散:1.25W
阈值电压:800mV
包装:Tape/reel
原产地:China
连续漏极电流:4A
长x宽/尺寸:3.10 x 1.50mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:80pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:10nC
漏源电压(Vdss):20V
导通电阻(RDS(on):35mΩ@4.5V
栅极电荷(Qg):10nC
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
20+¥0.2114
200+¥0.1741
600+¥0.1537
包装:20 库存:2600