AP3415E

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道功率MOSFET SOT23 VDS=20V VGS=±10V ID=4A

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ALLPOWER
功率耗散:1.25W
击穿电压:20V
阈值电压:800mV
额定功率:1.25W
原始制造商:Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:4A
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:80pF
栅极源极击穿电压:±10V
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:10nC
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):10nC
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
10+¥0.1860
100+¥0.1832
600+¥0.1325
1200+¥0.1305
3000+¥0.1266
包装:10 库存:2600