AP3415E

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道功率MOSFET SOT23 VDS=20V VGS=±10V ID=4A

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:1.25W
阈值电压:800mV
额定功率:1.25W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@4.5V,4A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:4A
长x宽/尺寸:3.10 x 1.50mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:80pF
工作温度:-55℃~+150℃
原产国家:China
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):10nC
高度:1.30mm
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
1+¥0.1586
10+¥0.1528
100+¥0.1351
500+¥0.1316
包装:1 库存:2600