BM2300

品牌
BORN
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道MOSFET VDS=20V ID=3.6A SOT23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
漏源电流(Idss):3.6A
击穿电压:20V
阈值电压:760mV
原始制造商:BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd.
包装:Tape/reel
连续漏极电流:3.6A
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±12V
反向传输电容Crss:33pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:5.4nC
配置:单路
原产国家:China
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):5.4nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
10+¥0.2779
100+¥0.2214
600+¥0.1719
1200+¥0.1693
3000+¥0.1549
包装:10 库存:2691