BM2300

品牌
BORN
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道MOSFET VDS=20V ID=3.6A SOT23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
漏源电流(Idss):3.6A
击穿电压:20V
阈值电压:760mV
原始制造商:BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:3.6A
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±12V
反向传输电容Crss:33pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:5.4nC
配置:单路
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):5.4nC
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.2378
50+¥0.1914
150+¥0.1687
500+¥0.1502
3000+¥0.1353
包装:5 库存:2691