NCE4009S

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):2W

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):1uA
功率耗散:2W
阈值电压:2V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tape/reel
连续漏极电流:9A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:5.10 x 4.00mm
封装/外壳:SO8_150MIL
元件生命周期:Active
输入电容(Ci):964pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
Vgs(Max):20V
最小包装:4000pcs
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):22.9nC
晶体管类型:N沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
1+¥0.6232
10+¥0.5872
30+¥0.5152
100+¥0.4612
500+¥0.4252
1000+¥0.4000
包装:1 库存:525
价格梯度 价格
1+¥0.8434
包装:1 库存:10