NCE4009S
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 40V |
| 阈值电压: | 2V@250µA |
| 额定功率: | 2W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 16mΩ@10V,8A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 9A |
| 封装/外壳: | SO8_150MIL |
| 漏极电流: | 1uA |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 输入电容: | 964pF |
| Vgs(Max): | 20V |
| 漏源电压(Vdss): | 40V |
| 栅极电荷(Qg): | 22.9nC |
| 高度: | 1.45mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.8182 |
| 50+ | ¥0.6326 |
| 800+ | ¥0.6231 |
| 包装：5 | 库存：680 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.8434 |
| 包装：1 | 库存：10 |