NCE4009S

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):2W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
漏源电流(Idss):1uA
阈值电压:2V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,8A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:9A
封装/外壳:SO8_150MIL
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:96pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:22.9nC
配置:单路
原产国家:China
Vgs(Max):20V
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):22.9nC
高度:1.45mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.6232
10+¥0.5872
30+¥0.5152
100+¥0.4612
500+¥0.4252
1000+¥0.4000
包装:1 库存:625
价格梯度 价格
1+¥0.8434
包装:1 库存:10