2302P
品牌
FM
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道沟道功率MOSFET 20V 3.2A 39mΩ@4.5V,2.5A 0.84W 0.65V@250uA 29pF@10V N Channel 182pF@10V 3.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | FM |
| 功率耗散: | 840mW |
| 阈值电压: | 650mV@250μA |
| 原始制造商: | SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. |
| 额定功率: | 840mW |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 3.2A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 3.5nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 输入电容: | 182pF |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 3.5nC@4.5V |
| 零件状态: | Active |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 50+ | ¥0.0900 |
| 500+ | ¥0.0810 |
| 5000+ | ¥0.0750 |
| 10000+ | ¥0.0720 |
| 30000+ | ¥0.0690 |
| 50000+ | ¥0.0672 |
| 包装：50 | 库存：0 |