2302P

品牌
FM
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道沟道功率MOSFET 20V 3.2A 39mΩ@4.5V,2.5A 0.84W 0.65V@250uA 29pF@10V N Channel 182pF@10V 3.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:20V
功率耗散:840mW
阈值电压:650mV@250μA
原始制造商:SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD.
包装:Tape/reel
连续漏极电流:3.2A
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:29pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:3.5nC
配置:单路
原产国家:China
输入电容:182pF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):3.5nC@4.5V
零件状态:Active
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
50+¥0.0900
500+¥0.0810
5000+¥0.0750
10000+¥0.0720
30000+¥0.0690
50000+¥0.0672
包装:50 库存:0