AP3908QD
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：21W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 21W |
| 阈值电压: | 1.5V |
| 极性: | N-沟道,P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 20A |
| 长x宽/尺寸: | 3.15 x 3.05mm |
| 封装/外壳: | DFN-8(3.3x3.3) |
| 反向传输电容Crss: | 120pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 输入电容(Ci): | 900pF |
| 工作温度: | +150℃(TJ) |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 8.5mΩ@10V,10A |
| 栅极电荷(Qg): | 19nC |
| 高度: | 0.78mm |
| 零件状态: | Active |
| 类型: | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.4963 |
| 包装：5 | 库存：4055 |