AP3908QD

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):21W

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
击穿电压:30V
阈值电压:1.5V
额定功率:21W
原始制造商:Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道,P-沟道
连续漏极电流:20A
封装/外壳:DFN-8(3.3x3.3)
元件生命周期:Active
工作温度:+150℃
配置:单路
Vgs(Max):±20V
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):19nC
零件状态:Active
高度:0.78mm
类型:1个N沟道+1个P沟道