AP6800

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs SOT-23-6 Dual N-Channel

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:33V
功率耗散:1.2W
阈值电压:1.5V
额定功率:1.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,5.8A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:5.8A
长x宽/尺寸:3.02 x 1.70mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT23-6
工作温度:-55℃~+150℃
配置:双路
Vgs(Max):±12V
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):4nC
高度:1.25mm
类型:2个N沟道
引脚数:6Pin