NCEP40P80K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-channel Id=80A VDS=40V TO252-2

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:150W
阈值电压:1.8V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.1mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:80A
存储温度:-55℃~+175℃
封装/外壳:TO-252(DPAK)
元件生命周期:Active
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+175℃
充电电量:57.2nC
配置:单路
输入电容:3.738nF
Vgs(Max):20V
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):57.2nC
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥2.2620
30+¥2.1840
100+¥2.0280
500+¥1.8720
1000+¥1.7940
包装:1 库存:0