8205A/A

品牌
FM
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1.9W

物料参数

工作温度(Tj):-50~+150℃
封装/外壳:TSSOP8
安装类型:SMT
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:6A
配置:Single
漏源电压(Vdss):20V
导通电阻Rds On(Max):28mΩ
功率耗散(最大值):1.9W
存储温度:-50~+150℃
长x宽/尺寸:4.40 x 3.00mm
高度:1.00mm
品牌:FM
引脚数:8Pin
漏源击穿电压BVDSS:20V
最小包装:3000pcs
零件状态:Active
极性:Dual N-Channel
原始制造商:SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD.
原产国家:China