LBSS84WT1G
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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
Small Signal MOSFETs
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 225mW |
| 阈值电压: | 2V |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 130mA |
| 长x宽/尺寸: | 2.05 x 1.30mm |
| 封装/外壳: | SOT-323 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 输入电容(Ci): | 38pF@15V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 漏源电压(Vdss): | 50V |
| 导通电阻(RDS(on): | 5Ω@10V,100mA |
| 高度: | 0.90mm |
| 零件状态: | Active |
| 引脚数: | 3Pin |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.2613 |
| 100+ | ¥0.2143 |
| 300+ | ¥0.1914 |
| 3000+ | ¥0.1489 |
| 6000+ | ¥0.1345 |
| 9000+ | ¥0.1274 |
| 包装：10 | 库存：2493 |