LBSS84WT1G
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | LRC |
| 阈值电压: | 2V@250μA |
| 原始制造商: | Leshan Radio Co., Ltd. |
| 额定功率: | 225mW |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 5Ω@10V,100mA |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 130mA |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-323 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 输入电容: | 38pF@15V |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 50V |
| 零件状态: | Active |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 20+ | ¥0.1675 |
| 300+ | ¥0.1345 |
| 1200+ | ¥0.1325 |
| 3000+ | ¥0.1285 |
| 包装：20 | 库存：2493 |