S-L2N7002SLT1G

品牌
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
S-L2N7002SLT1G

物料参数

安装类型:SMT
阈值电压:2V@250μA
额定功率:300mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,500mA
极性:N-沟道
连续漏极电流:380mA
长x宽/尺寸:2.90 x 1.30mm
封装/外壳:SOT-23(TO-236)
反向传输电容Crss:5pF@25V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
输入电容:35pF@25V
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):440pC@4.5V
高度:0.94mm
类型:1个N沟道
引脚数:3Pin