FS1012ET
品牌
FUXINSEMI
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 耐压:20V 电流:700mA 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):700mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@4.5V,0.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA