ME15N10-G
品牌
MATSUKI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道，低压MOSFETs
物料参数
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 阈值电压: | 3V@250μA |
| 额定功率: | 34.7W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 100mΩ@10V,8A |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 14.7A |
| 类型: | 1个N沟道 |