ALD111910SAL
品牌
供应商
分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述
MOSFET 2N-CH 8SOIC
物料参数
| 制造商: | Advanced Linear Devices Inc. |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停產 |
| FET 类型: | - |
| FET 功能: | - |
| 漏源电压（Vdss）: | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | - |
| 功率 - 最大值: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | - |
| 封装/外壳: | - |
| 供应商器件封装: | - |