PSMN2R6-40YS,115
品牌
NEXPERIA(安世)
供应商
描述
表面贴装型-N-通道-40V-100A（Tc）-131W（Tc）-LFPAK56-Power-SO8
物料参数
| 漏源电压（Vdss）: | 40V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: | 100A(Tc) |
| 栅源极阈值电压: | 4V @ 1mA |
| 漏源导通电阻: | 2.8mΩ @ 25A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C）: | 131W(Tc) |
| 类型: | N沟道 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 2.8 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 63nC @ 10V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3776pF @ 12V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 131W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳: | SC-100，SOT-669 |