CGHV96050F2
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반도체>>이산 반도체>>트랜지스터>>RF 트랜지스터>>RF JFET 트랜지스터
描述
RF JFET 트랜지스터 7.9-9.6GHz 50W GaN Gain 11.dB typ.
物料参数
| 제조업체: | Cree,Inc. |
| 제품카테고리: | RFJFET트랜지스터 |
| 트랜지스터타입: | HEMT |
| 기술: | GaNSiC |
| 이득: | 10dB |
| 트랜지스터극성: | N-Channel |
| Vds-드레인소스항복전압: | 100V |
| Vgs-게이트소스항복전압: | 3V |
| Id-연속드레인전류: | 6A |
| 출력전력: | 50W |
| 최대드레인게이트전압: | - |
| 최대작동온도: | +150C |
| Pd-전력발산: | - |
| 장착스타일: | Screw |
| 패키지/케이스: | 440210 |
| 포장: | Tray |
| 적용: | - |
| 브랜드: | Wolfspeed/Cree |
| 클래스: | - |
| 구성: | Single |
| 개발키트: | CGHV96050F2-TB |
| 하강시간: | - |
| 순방향트랜스컨덕턴스-최소: | - |
| 게이트-소스차단전압: | -10Vto+2V |
| 높이: | 5.03mm |
| 길이: | 23.01mm |
| 최소작동온도: | -40C |
| NF-잡음지수: | - |
| 작동주파수: | 8.4GHzto9.6GHz |
| 작동온도범위: | -40Cto+150C |
| P1dB-압축지점: | - |
| 제품: | GaNHEMT |
| RdsOn-드레인소스저항: | - |
| 상승시간: | - |
| 팩토리팩수량: | 50 |
| 타입: | GaNSiCHEMT |
| 표준턴-오프지연시간: | - |
| Vgsth-게이트소스역치전압: | 2.3V |
| 너비: | 24.26mm |