FDS8960C
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分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
物料参数
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 制造商: | Fairchild/ON Semiconductor |
| 系列: | PowerTrench® |
| 包装: | 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET类型: | N 和 P 沟道 |
| FET功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压（Vdss）: | 35V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 7A，5A |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 3V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: | 7.7nC @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: | 570pF @ 15V |
| 功率-最大值: | 900mW |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SO |