物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 97 A |
| 最大漏源电压: | 100 V |
| 封装类型: | TO-220 |
| 安装类型: | 通孔 |
| 引脚数目: | 3 |
| 最大漏源电阻值: | 8.4 mΩ |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大栅阈值电压: | 4V |
| 最大功率耗散: | 157 W |
| 晶体管配置: | 单 |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 54.5 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 晶体管材料: | Si |
| 宽度: | 4.83mm |
| 长度: | 10.67mm |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 97 A |
| 最大漏源电压: | 100 V |
| 封装类型: | TO-220 |
| 安装类型: | 通孔 |
| 引脚数目: | 3 |
| 最大漏源电阻值: | 8.4 mΩ |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大栅阈值电压: | 4V |
| 最大功率耗散: | 157 W |
| 晶体管配置: | 单 |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 54.5 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 晶体管材料: | Si |
| 宽度: | 4.83mm |
| 长度: | 10.67mm |
| 最高工作温度: | +150 °C |