NH

类型：N沟道增加型LV-MOS 漏源电压(Vdss)：100V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：90nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：6772pF@50V