NSH045N100P5
品牌
NH
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：PD 次级侧同步整流。
物料参数
| 封装/外壳: | PDFN5x6 |
| 反向传输电容Crss: | 30pF@40V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 阈值电压: | 3V@250μA |
| 输入电容: | 6.772nF@50V |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 4.5mΩ@10V,50A |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 120A |
| 栅极电荷(Qg): | 90nC@10V |
| 类型: | 1个N沟道 |