CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
At Central Semiconductor, we're serious about discrete semiconductors. Our business is the pursuit of perfection in the devices we manufacture; the delivery of our products; and the service we provide; all the time, every time. To suit varying applications, our products are available in three formats: through-hole, surface mount, and bare die.
商品列表
BFY90
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
描述: RF Transistor NPN 15V 25mA 1.4GHz 200mW 通孔 TO-72
类别: 分立半导体产品 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN 电压-集射极击穿（最大值）: 15V 频率-跃迁: 1.4GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）: 5.5dB @ 800MHz 增益: 23dB 功率-最大值: 200mW 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 20 @ 25mA，1V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 25mA 工作温度: -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-206AF，TO-72-4 金属罐 供应商器件封装: TO-72
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
描述: RF Transistor NPN 15V 25mA 1.4GHz 200mW 通孔 TO-72
类别: 分立半导体产品 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN 电压-集射极击穿（最大值）: 15V 频率-跃迁: 1.4GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）: 5.5dB @ 800MHz 增益: 23dB 功率-最大值: 200mW 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 20 @ 25mA，1V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 25mA 工作温度: -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-206AF，TO-72-4 金属罐 供应商器件封装: TO-72
CMHZ5245BBK
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 15V 容差: ±5% 功率-最大值: 500mW 阻抗（最大值）（Zzt）: 16 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100nA @ 11V 不同If时的电压-正向（Vf）: 900mV @ 10mA 工作温度: 150°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 15V 容差: ±5% 功率-最大值: 500mW 阻抗（最大值）（Zzt）: 16 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100nA @ 11V 不同If时的电压-正向（Vf）: 900mV @ 10mA 工作温度: 150°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123
CZ5348BTR
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 11V 5W ±5% 通孔 DO-201
类别: 分立半导体产品 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: 剪切带（CT） 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 11V 容差: ±5% 功率-最大值: 5W 阻抗（最大值）（Zzt）: 2.5 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 5µA @ 8.4V 不同If时的电压-正向（Vf: 1.2V @ 1A 工作温度: -65°C ~ 200°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-201AA，DO-27，轴向 供应商器件封装: DO-201
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 11V 5W ±5% 通孔 DO-201
类别: 分立半导体产品 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: 剪切带（CT） 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 11V 容差: ±5% 功率-最大值: 5W 阻抗（最大值）（Zzt）: 2.5 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 5µA @ 8.4V 不同If时的电压-正向（Vf: 1.2V @ 1A 工作温度: -65°C ~ 200°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-201AA，DO-27，轴向 供应商器件封装: DO-201
1N5941BBK
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 47V 1.5W ±5% 通孔 DO-41
类别: 分立半导体产品 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 47V 容差: ±5% 功率-最大值: 1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）: 67 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1µA @ 35.8V 不同If时的电压-正向（Vf: 1.5V @ 200mA 工作温度: -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: DO-41
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 47V 1.5W ±5% 通孔 DO-41
类别: 分立半导体产品 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 47V 容差: ±5% 功率-最大值: 1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）: 67 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1µA @ 35.8V 不同If时的电压-正向（Vf: 1.5V @ 200mA 工作温度: -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: DO-41
MPQ6002
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
描述: Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN，2 PNP 30V 500mA 200MHz 650mW 通孔 TO-116
类别: 分立半导体产品 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 晶体管类型: 2 NPN，2 PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）: 500mA 电压-集射极击穿（最大值）: 30V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 1.4V @ 30mA，300mA 电流-集电极截止（最大值）: 30nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 30 @ 300mA，10V 功率-最大值: 650mW 频率-跃迁: 200MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 14-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: TO-116
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
描述: Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN，2 PNP 30V 500mA 200MHz 650mW 通孔 TO-116
类别: 分立半导体产品 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 晶体管类型: 2 NPN，2 PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）: 500mA 电压-集射极击穿（最大值）: 30V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 1.4V @ 30mA，300mA 电流-集电极截止（最大值）: 30nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 30 @ 300mA，10V 功率-最大值: 650mW 频率-跃迁: 200MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 14-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: TO-116
CMPT5088TR
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）: 50mA 电压-集射极击穿（最大值）: 30V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 500mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止（最大值）: 50nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 300 @ 100µA，5V 功率-最大值: 350mW 频率-跃迁: 50MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）: 50mA 电压-集射极击穿（最大值）: 30V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 500mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止（最大值）: 50nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 300 @ 100µA，5V 功率-最大值: 350mW 频率-跃迁: 50MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23
1N4621BK
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 3.6V 250mW ±5% 通孔 DO-35
类别: 分立半导体产品 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 3.6V 容差: ±5% 功率-最大值: 250mW 阻抗（最大值）（Zzt）: 1700 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 7.5µA @ 2V 不同If时的电压-正向（Vf: 1V @ 200mA 工作温度: -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装: DO-35
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 3.6V 250mW ±5% 通孔 DO-35
类别: 分立半导体产品 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 3.6V 容差: ±5% 功率-最大值: 250mW 阻抗（最大值）（Zzt）: 1700 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 7.5µA @ 2V 不同If时的电压-正向（Vf: 1V @ 200mA 工作温度: -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装: DO-35
1N5990BBK
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 3.9V 500mW ±5% 通孔 DO-35
类别: 分立半导体产品 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 3.9V 容差: ±5% 功率-最大值: 500mW 阻抗（最大值）（Zzt）: 90 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 1V 不同If时的电压-正向（Vf: 1.5V @ 100mA 工作温度: -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装: DO-35
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 3.9V 500mW ±5% 通孔 DO-35
类别: 分立半导体产品 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 3.9V 容差: ±5% 功率-最大值: 500mW 阻抗（最大值）（Zzt）: 90 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 1V 不同If时的电压-正向（Vf: 1.5V @ 100mA 工作温度: -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装: DO-35
1.5SMC130CATR13
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: 179V Clamp 8.4A Ipp Tvs Diode 表面贴装 SMC
类别: 电路保护 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 类型: 齐纳 双向通道: 1 电压-反向关态（典型值）: 111V 电压-击穿（最小值）: 123.5V 电压-箝位（最大值）@Ipp: 179V 电流-峰值脉冲（10/1000µs）: 8.4A 功率-峰值脉冲: 1500W（1.5kW） 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时的电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-214AB，SMC 供应商器件封装: SMC
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: 179V Clamp 8.4A Ipp Tvs Diode 表面贴装 SMC
类别: 电路保护 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 类型: 齐纳 双向通道: 1 电压-反向关态（典型值）: 111V 电压-击穿（最小值）: 123.5V 电压-箝位（最大值）@Ipp: 179V 电流-峰值脉冲（10/1000µs）: 8.4A 功率-峰值脉冲: 1500W（1.5kW） 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时的电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-214AB，SMC 供应商器件封装: SMC
CMLDM3737TR
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 540mA 350mW 表面贴装 SOT-563
类别: 分立半导体产品 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 FET类型: 2 个 N 沟道（双） FET功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 20V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 540mA 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 1.58nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 150pF @ 16V 功率-最大值: 350mW 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-563，SOT-666 供应商器件封装: SOT-563
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 540mA 350mW 表面贴装 SOT-563
类别: 分立半导体产品 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 FET类型: 2 个 N 沟道（双） FET功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 20V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 540mA 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 1.58nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 150pF @ 16V 功率-最大值: 350mW 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-563，SOT-666 供应商器件封装: SOT-563