SEMELAB
商品列表
D2012UK
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Semelab MOSFET, TetraFET 系列, N沟道, Si, Vds=65 V, 4 A, 3引脚 DP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 4 A 最大漏源电压: 65 V 封装类型: DP 安装类型: 面板安装 引脚数目: 3 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 7V 最大功率耗散: 42 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 6.35mm 高度: 5.08mm 系列: TetraFET 最高工作温度: +200 °C 晶体管材料: Si 长度: 18.92mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Semelab MOSFET, TetraFET 系列, N沟道, Si, Vds=65 V, 4 A, 3引脚 DP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 4 A 最大漏源电压: 65 V 封装类型: DP 安装类型: 面板安装 引脚数目: 3 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 7V 最大功率耗散: 42 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 6.35mm 高度: 5.08mm 系列: TetraFET 最高工作温度: +200 °C 晶体管材料: Si 长度: 18.92mm
MG6330
供应商: RS
分类: BJT和双极晶体管
描述: Semelab 晶体管, NPN, 最大直流集电极电流 15 A, TO-3P封装, 60 MHz, 3引脚
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 15 A 最大集电极-发射极电压: 230 V 封装类型: TO-3P 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 200 W 最小直流电流增益: 140 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 230 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 60 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 最大集电极-发射极饱和电压: 2 V 高度: 18.7mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 4.8mm 尺寸: 15.6 x 4.8 x 18.7mm 长度: 15.6mm
供应商: RS
分类: BJT和双极晶体管
描述: Semelab 晶体管, NPN, 最大直流集电极电流 15 A, TO-3P封装, 60 MHz, 3引脚
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 15 A 最大集电极-发射极电压: 230 V 封装类型: TO-3P 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 200 W 最小直流电流增益: 140 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 230 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 60 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 最大集电极-发射极饱和电压: 2 V 高度: 18.7mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 4.8mm 尺寸: 15.6 x 4.8 x 18.7mm 长度: 15.6mm
D5002UK
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: Semelab N沟道 MOSFET 晶体管 D5002UK, 6 A, Vds=125 V, 4引脚 DA封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 6 A 最大漏源电压: 125 V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DA 安装类型: 螺丝安装 引脚数目: 4 通道模式: 增强 类别: 射频 MOSFET 最大功率耗散: 87 W 长度: 24.76mm 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +200 °C 尺寸: 24.76 x 6.35 x 6.6mm 高度: 6.6mm 典型输入电容值@Vds: 120 pF @ 50 V 宽度: 6.35mm
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: Semelab N沟道 MOSFET 晶体管 D5002UK, 6 A, Vds=125 V, 4引脚 DA封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 6 A 最大漏源电压: 125 V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DA 安装类型: 螺丝安装 引脚数目: 4 通道模式: 增强 类别: 射频 MOSFET 最大功率耗散: 87 W 长度: 24.76mm 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +200 °C 尺寸: 24.76 x 6.35 x 6.6mm 高度: 6.6mm 典型输入电容值@Vds: 120 pF @ 50 V 宽度: 6.35mm
MG9411-R
供应商: RS
分类: BJT和双极晶体管
描述: Semelab 晶体管, PNP, 最大直流集电极电流 18 A, TO-3P封装, 35 MHz, 3引脚
晶体管类型: PNP 最大直流集电极电流: 18 A 最大集电极-发射极电压: 260 V 封装类型: TO-3P 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 300 W 最小直流电流增益: 70 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: -260 V 最大发射极-基极电压: -5 V 最大工作频率: 35 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 长度: 15.6mm 尺寸: 15.6 x 4.8 x 18.7mm 最大集电极-发射极饱和电压: -0.5 V 宽度: 4.8mm 高度: 18.7mm
供应商: RS
分类: BJT和双极晶体管
描述: Semelab 晶体管, PNP, 最大直流集电极电流 18 A, TO-3P封装, 35 MHz, 3引脚
晶体管类型: PNP 最大直流集电极电流: 18 A 最大集电极-发射极电压: 260 V 封装类型: TO-3P 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 300 W 最小直流电流增益: 70 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: -260 V 最大发射极-基极电压: -5 V 最大工作频率: 35 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 长度: 15.6mm 尺寸: 15.6 x 4.8 x 18.7mm 最大集电极-发射极饱和电压: -0.5 V 宽度: 4.8mm 高度: 18.7mm
MG6331-R
供应商: RS
分类: 双极晶体管
描述: Semelab MG6331-R , NPN 晶体管, 18 A, Vce=260 V, HFE:70, 60 MHz, 3引脚 TO-3P封装
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 18 A 最大集电极-发射极电压: 260 V 封装类型: TO-3P 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 300 W 最小直流电流增益: 70 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 260 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 60 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.8mm 最高工作温度: +150 °C 最大集电极-发射极饱和电压: 2 V 高度: 18.7mm 尺寸: 15.6 x 4.8 x 18.7mm 长度: 15.6mm
供应商: RS
分类: 双极晶体管
描述: Semelab MG6331-R , NPN 晶体管, 18 A, Vce=260 V, HFE:70, 60 MHz, 3引脚 TO-3P封装
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 18 A 最大集电极-发射极电压: 260 V 封装类型: TO-3P 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 300 W 最小直流电流增益: 70 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 260 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 60 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.8mm 最高工作温度: +150 °C 最大集电极-发射极饱和电压: 2 V 高度: 18.7mm 尺寸: 15.6 x 4.8 x 18.7mm 长度: 15.6mm
2N2369ACSM
供应商: RS
分类: BJT和双极晶体管
描述: Semelab 晶体管, NPN, 最大直流集电极电流 200 mA, LCC 1封装, 3引脚
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 200 mA 最大集电极-发射极电压: 15 V 封装类型: LCC 1 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 360 mW 最小直流电流增益: 40 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 40 V 最大发射极-基极电压: 4.5 V 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 最大基极-发射极饱和电压: 1.6 V 宽度: 2.54mm 高度: 1.4mm 最大集电极-发射极饱和电压: 0.5 V 最高工作温度: +200 °C 最低工作温度: -65 °C 长度: 3.05mm 尺寸: 3.05 x 2.54 x 1.4mm
供应商: RS
分类: BJT和双极晶体管
描述: Semelab 晶体管, NPN, 最大直流集电极电流 200 mA, LCC 1封装, 3引脚
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 200 mA 最大集电极-发射极电压: 15 V 封装类型: LCC 1 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 360 mW 最小直流电流增益: 40 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 40 V 最大发射极-基极电压: 4.5 V 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 最大基极-发射极饱和电压: 1.6 V 宽度: 2.54mm 高度: 1.4mm 最大集电极-发射极饱和电压: 0.5 V 最高工作温度: +200 °C 最低工作温度: -65 °C 长度: 3.05mm 尺寸: 3.05 x 2.54 x 1.4mm
2N4392CSM
供应商: RS
分类: JFET
描述: Semelab JFET, N通道, 表面贴装安装, SOT-23封装, Vds=40 V, 3引脚, Idss: 25 to 75mA
通道类型: N Idss 漏-源切断电流: 25 to 75mA 最大漏源电压: 40 V 最大栅源电压: +40 V 最大漏门电压: 40V 配置: 单 晶体管配置: 单 最大漏源电阻值: 60 Ω 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-23 引脚数目: 3 尺寸: 3.05 x 2.54 x 1.02mm 高度: 1.02mm 长度: 3.05mm 最高工作温度: +175 °C 宽度: 2.54mm 最低工作温度: -65 °C
供应商: RS
分类: JFET
描述: Semelab JFET, N通道, 表面贴装安装, SOT-23封装, Vds=40 V, 3引脚, Idss: 25 to 75mA
通道类型: N Idss 漏-源切断电流: 25 to 75mA 最大漏源电压: 40 V 最大栅源电压: +40 V 最大漏门电压: 40V 配置: 单 晶体管配置: 单 最大漏源电阻值: 60 Ω 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-23 引脚数目: 3 尺寸: 3.05 x 2.54 x 1.02mm 高度: 1.02mm 长度: 3.05mm 最高工作温度: +175 °C 宽度: 2.54mm 最低工作温度: -65 °C
MG6331
供应商: RS
分类: 双极晶体管
描述: Semelab MG6331 , NPN 晶体管, 18 A, Vce=230 V, HFE:70, 60 MHz, 3引脚 TO-3P封装
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 18 A 最大集电极-发射极电压: 230 V 封装类型: TO-3P 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 300 W 最小直流电流增益: 70 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 230 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 60 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.8mm 最大集电极-发射极饱和电压: 2 V 尺寸: 15.6 x 4.8 x 18.7mm 长度: 15.6mm 高度: 18.7mm 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: 双极晶体管
描述: Semelab MG6331 , NPN 晶体管, 18 A, Vce=230 V, HFE:70, 60 MHz, 3引脚 TO-3P封装
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 18 A 最大集电极-发射极电压: 230 V 封装类型: TO-3P 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 300 W 最小直流电流增益: 70 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 230 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 60 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.8mm 最大集电极-发射极饱和电压: 2 V 尺寸: 15.6 x 4.8 x 18.7mm 长度: 15.6mm 高度: 18.7mm 最高工作温度: +150 °C
D2019UK
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Semelab MOSFET, TetraFET 系列, N沟道, Si, Vds=65 V, 1 A, 8引脚 SOIC封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 1 A 最大漏源电压: 65 V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 5V 最大功率耗散: 17.5 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 系列: TetraFET 宽度: 5.08mm 高度: 2.18mm 长度: 4.06mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +200 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Semelab MOSFET, TetraFET 系列, N沟道, Si, Vds=65 V, 1 A, 8引脚 SOIC封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 1 A 最大漏源电压: 65 V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 5V 最大功率耗散: 17.5 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 系列: TetraFET 宽度: 5.08mm 高度: 2.18mm 长度: 4.06mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +200 °C
MAG9413
供应商: RS
分类: 双极晶体管
描述: Semelab MAG9413 , PNP 晶体管, 30 A, Vce=260 V, HFE:50, 3引脚 TO-264封装
晶体管类型: PNP 最大直流集电极电流: 30 A 最大集电极-发射极电压: 260 V 封装类型: TO-264 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 400 W 最小直流电流增益: 50 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: -260 V 最大发射极-基极电压: -5 V 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 尺寸: 26.49 x 5.21 x 26.49mm 最大基极-发射极饱和电压: -2 V 最高工作温度: +150 °C 高度: 26.49mm 宽度: 5.21mm 最大集电极-发射极饱和电压: -1.5 V 长度: 26.49mm
供应商: RS
分类: 双极晶体管
描述: Semelab MAG9413 , PNP 晶体管, 30 A, Vce=260 V, HFE:50, 3引脚 TO-264封装
晶体管类型: PNP 最大直流集电极电流: 30 A 最大集电极-发射极电压: 260 V 封装类型: TO-264 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 400 W 最小直流电流增益: 50 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: -260 V 最大发射极-基极电压: -5 V 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 尺寸: 26.49 x 5.21 x 26.49mm 最大基极-发射极饱和电压: -2 V 最高工作温度: +150 °C 高度: 26.49mm 宽度: 5.21mm 最大集电极-发射极饱和电压: -1.5 V 长度: 26.49mm