IR
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IRFR120ZPBF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=8.7A
安装类型: SMT 技术: MOSFET (Metal Oxide) 额定功率: 35W 阈值电压Vgs(th): 190mV 包装: Bag Packing 连续漏极电流Id@25℃: 8.7A 极性: N-沟道 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 长x宽/尺寸: 6.73 x 5.22mm 封装/外壳: DPAK3 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 310pF 漏极电流Idss: 8.7A 工作温度: -55℃~+175℃ FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 10nC@10V 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 2.39mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=8.7A
安装类型: SMT 技术: MOSFET (Metal Oxide) 额定功率: 35W 阈值电压Vgs(th): 190mV 包装: Bag Packing 连续漏极电流Id@25℃: 8.7A 极性: N-沟道 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 长x宽/尺寸: 6.73 x 5.22mm 封装/外壳: DPAK3 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 310pF 漏极电流Idss: 8.7A 工作温度: -55℃~+175℃ FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 10nC@10V 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 2.39mm 晶体管类型: N沟道
IRLML2803TRPBF
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: SOT23-3-N通道VDS:30V-ID:1.2A
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: IR 功率耗散: 540mW 阈值电压Vgs(th): 1V 连续漏极电流Id@25℃: 1.2A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -50℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 栅极源极击穿电压: ±20V 漏极电流Idss: 1µA 工作温度: -50℃~+150℃ 充电电量: 5nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 250mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 5.0nC 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: SOT23-3-N通道VDS:30V-ID:1.2A
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: IR 功率耗散: 540mW 阈值电压Vgs(th): 1V 连续漏极电流Id@25℃: 1.2A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -50℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 栅极源极击穿电压: ±20V 漏极电流Idss: 1µA 工作温度: -50℃~+150℃ 充电电量: 5nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 250mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 5.0nC 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
IRF7319PBF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 双N沟道+P沟道 VDS1=30V ID1=6.5A VDS2=-30V ID1=-4.9A VGS=±20V 2通路
安装类型: SMT 品牌: IR 功率耗散: 2W 额定功率: 2W 阈值电压Vgs(th): 1V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5.8A 极性: N-沟道,P-沟道 长x宽/尺寸: 5.00 x 4.00mm 封装/外壳: SO8 输入电容Ciss: 650pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 6.5A FET功能: N和P沟道 栅极电荷(Qg)(Max): 33nC@10V 最小包装: 1pcs 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 双N沟道+P沟道 VDS1=30V ID1=6.5A VDS2=-30V ID1=-4.9A VGS=±20V 2通路
安装类型: SMT 品牌: IR 功率耗散: 2W 额定功率: 2W 阈值电压Vgs(th): 1V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5.8A 极性: N-沟道,P-沟道 长x宽/尺寸: 5.00 x 4.00mm 封装/外壳: SO8 输入电容Ciss: 650pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 6.5A FET功能: N和P沟道 栅极电荷(Qg)(Max): 33nC@10V 最小包装: 1pcs 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
IRF6216PBF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SO-8封装中的150V单P沟道HEXFET功率MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: IR HiRel 功率耗散: 2.5W 原始制造商: Infineon Technologies AG 连续漏极电流Id@25℃: 2.2A 包装: Tape/reel 漏源导通电阻 RDS(on): 0.24mΩ 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SO8 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 1280pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ciss)(Max): 1280pF 原产国家: Germany 功率耗散（最大值）: 2.5W 漏源电压(Vdss): 150V 导通电阻Rds On(Max): 0.24mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃ 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SO-8封装中的150V单P沟道HEXFET功率MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: IR HiRel 功率耗散: 2.5W 原始制造商: Infineon Technologies AG 连续漏极电流Id@25℃: 2.2A 包装: Tape/reel 漏源导通电阻 RDS(on): 0.24mΩ 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SO8 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 1280pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ciss)(Max): 1280pF 原产国家: Germany 功率耗散（最大值）: 2.5W 漏源电压(Vdss): 150V 导通电阻Rds On(Max): 0.24mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃ 零件状态: Active
IRFR9120NTRPBF
供应商: Anychip Mall
分类: IRFR9120NTRPBF
描述: 漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.6A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：480mΩ @ 3.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：P沟道 P沟道,-100V,-6.6A,480mΩ@-10V
供应商: Anychip Mall
分类: IRFR9120NTRPBF
描述: 漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.6A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：480mΩ @ 3.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：P沟道 P沟道,-100V,-6.6A,480mΩ@-10V
IRLU024NPBF
供应商: Anychip Mall
分类: IRLU024NPBF
描述: 漏源电压（Vdss）：55V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W 类型：N沟道 N沟道,55V,17A,65mΩ@10V
供应商: Anychip Mall
分类: IRLU024NPBF
描述: 漏源电压（Vdss）：55V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W 类型：N沟道 N沟道,55V,17A,65mΩ@10V
IRF7314TRPBF
供应商: Anychip Mall
分类: IRF7314TRPBF
描述: 漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.3A 栅源极阈值电压：700mV @ 250uA 漏源导通电阻：58mΩ @ 2.9A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双P沟道 双P沟道,20V,5.3A,58mΩ@2.9A,4.5V
供应商: Anychip Mall
分类: IRF7314TRPBF
描述: 漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.3A 栅源极阈值电压：700mV @ 250uA 漏源导通电阻：58mΩ @ 2.9A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双P沟道 双P沟道,20V,5.3A,58mΩ@2.9A,4.5V