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SQ7415AEN-T1-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
PCN组件/产地: SIL-040-2014-Rev-3 22/Sep/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: Digi-Reel® FET类型: MOSFET P 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 16A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 65 毫欧 @ 5.7A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 38nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1385pF @ 25V 功率-最大值: 53W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8 其它名称: SQ7415AEN-T1-GE3DKR
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
PCN组件/产地: SIL-040-2014-Rev-3 22/Sep/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: Digi-Reel® FET类型: MOSFET P 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 16A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 65 毫欧 @ 5.7A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 38nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1385pF @ 25V 功率-最大值: 53W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8 其它名称: SQ7415AEN-T1-GE3DKR
SQJ850EP-T1-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 24A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 23 毫欧 @ 10.3A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 30nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1225pF @ 30V 功率-最大值: 45W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 24A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 23 毫欧 @ 10.3A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 30nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1225pF @ 30V 功率-最大值: 45W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8
SQD50N05-11L-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-054-2014-Rev-2 22/Sep/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 50V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 50A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 11 毫欧 @ 45A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 52nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2106pF @ 25V 功率-最大值: 75W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252AA
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-054-2014-Rev-2 22/Sep/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 50V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 50A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 11 毫欧 @ 45A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 52nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2106pF @ 25V 功率-最大值: 75W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252AA
SQM60N06-15-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-026-2014-Rev-1 31/Mar/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 56A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 15 毫欧 @ 30A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 50nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2480pF @ 25V 功率-最大值: 107W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装: TO-263（D2Pak）
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-026-2014-Rev-1 31/Mar/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 56A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 15 毫欧 @ 30A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 50nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2480pF @ 25V 功率-最大值: 107W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装: TO-263（D2Pak）
SQ4284EY-T1-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
PCN组件/产地: SIL-048-2014-Rev-1 20/May/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 阵列 系列: 汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: 2 个 N 沟道（双） FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 13.5 毫欧 @ 7A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 45nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2200pF @ 25V 功率-最大值: 3.9W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
PCN组件/产地: SIL-048-2014-Rev-1 20/May/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 阵列 系列: 汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: 2 个 N 沟道（双） FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 13.5 毫欧 @ 7A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 45nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2200pF @ 25V 功率-最大值: 3.9W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
SQD50P04-09L-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-046-2014-Rev-2 20/May/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET P 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 50A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 9.4 毫欧 @ 17A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 155nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 6675pF @ 20V 功率-最大值: 136W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak）
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-046-2014-Rev-2 20/May/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET P 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 50A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 9.4 毫欧 @ 17A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 155nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 6675pF @ 20V 功率-最大值: 136W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak）
SQD25N15-52-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-054-2014-Rev-2 22/Sep/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 150V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 25A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 52 毫欧 @ 15A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 51nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2200pF @ 25V 功率-最大值: 107W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak）
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-054-2014-Rev-2 22/Sep/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 150V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 25A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 52 毫欧 @ 15A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 51nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2200pF @ 25V 功率-最大值: 107W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak）
SQS482EN-T1-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-052-2014-Rev-1 15/Aug/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 16A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 8.5 毫欧 @ 16.4A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 39nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1865pF @ 25V 功率-最大值: 62W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-052-2014-Rev-1 15/Aug/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 16A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 8.5 毫欧 @ 16.4A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 39nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1865pF @ 25V 功率-最大值: 62W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8
SQ3469EV-T1-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-046-2014-Rev-2 20/May/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET P 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 20V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 36 毫欧 @ 6.7A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 25µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 27nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1020pF @ 10V 功率-最大值: 5W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装: 6-TSOP
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-046-2014-Rev-2 20/May/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET P 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 20V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 36 毫欧 @ 6.7A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 25µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 27nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1020pF @ 10V 功率-最大值: 5W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装: 6-TSOP
SQJ858AEP-T1-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-048-2014-Rev-1 20/May/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 58A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.3 毫欧 @ 14A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 55nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2450pF @ 20V 功率-最大值: 48W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-048-2014-Rev-1 20/May/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 58A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.3 毫欧 @ 14A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 55nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2450pF @ 20V 功率-最大值: 48W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8