PRISEMI
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PDTC114YE
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: 数字晶体管(内置电阻) SOT-523 集电极电流Ic(Max):100mA 功率(Max):150mW NPN
安装类型: SMT 品牌: Prisemi 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 150mW 原始制造商: Shanghai Prisemi Electronics Co.,Ltd 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7.5Ω 输入电压: 1.4V@1mA,0.3V 长x宽/尺寸: 1.60 x 0.80mm 封装/外壳: SOT-523-3 电阻器比率: 4.7 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 40V 输入电阻: 10kΩ 高度: 0.75mm DC电流增益(hFE): 68@5mA,5V 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: 数字晶体管(内置电阻) SOT-523 集电极电流Ic(Max):100mA 功率(Max):150mW NPN
安装类型: SMT 品牌: Prisemi 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 150mW 原始制造商: Shanghai Prisemi Electronics Co.,Ltd 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7.5Ω 输入电压: 1.4V@1mA,0.3V 长x宽/尺寸: 1.60 x 0.80mm 封装/外壳: SOT-523-3 电阻器比率: 4.7 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 40V 输入电阻: 10kΩ 高度: 0.75mm DC电流增益(hFE): 68@5mA,5V 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
PESDSC2FD5VB
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 双向5V低电容ESD保护器
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Prisemi 反向漏电流 IR: 1μA 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.08 x 0.68mm 存储温度: -55℃~+150℃ 反向断态电压: 5V 封装/外壳: DFN1006-2 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 4A 最小包装: 10000pcs 结电容: 0.45pF@1MHz 高度: 0.49mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 5.6V 引脚数: 2Pin 应用: Consumer Electronics
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 双向5V低电容ESD保护器
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Prisemi 反向漏电流 IR: 1μA 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.08 x 0.68mm 存储温度: -55℃~+150℃ 反向断态电压: 5V 封装/外壳: DFN1006-2 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 4A 最小包装: 10000pcs 结电容: 0.45pF@1MHz 高度: 0.49mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 5.6V 引脚数: 2Pin 应用: Consumer Electronics
PESDMC2FD5VB
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 极性:双向 反向断态电压(典型值):5V (Max) 箝位电压:11V 峰值脉冲电流(10/1000us):4A (8/20us)
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压: 11V 品牌: Prisemi 反向漏电流 IR: 1μA 原始制造商: Shanghai Prisemi Electronics Co., Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.08 x 0.68mm 反向断态电压: 5V 封装/外壳: DFN1006-2 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 4.2A 原产国家: China 通道数: 1 结电容: 0.5pF@1MHz 高度: 0.50mm 击穿电压 -min: 5.6V 类型: ESD
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 极性:双向 反向断态电压(典型值):5V (Max) 箝位电压:11V 峰值脉冲电流(10/1000us):4A (8/20us)
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压: 11V 品牌: Prisemi 反向漏电流 IR: 1μA 原始制造商: Shanghai Prisemi Electronics Co., Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.08 x 0.68mm 反向断态电压: 5V 封装/外壳: DFN1006-2 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 4.2A 原产国家: China 通道数: 1 结电容: 0.5pF@1MHz 高度: 0.50mm 击穿电压 -min: 5.6V 类型: ESD
PESDUC2XD5VBF
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护 1通道 VRWM=5 V VBR(Min)=5.6 V VC=19.5 V IPP=4.5 A Ppp=80 W DFN0603-2L
安装类型: SMT 钳位电压: 19.5V 是否无铅: Yes 原始制造商: Shanghai Prisemi Electronics Co., Ltd. 功率-峰值脉冲: 80W 无卤: Yes 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 0.60 x 0.30mm 封装/外壳: DFN0603-2L 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 4.5A 原产国家: China 击穿电压Max: 9V 最小包装: 12000pcs 结电容: 0.3pF 高度: 0.30mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 5.6V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护 1通道 VRWM=5 V VBR(Min)=5.6 V VC=19.5 V IPP=4.5 A Ppp=80 W DFN0603-2L
安装类型: SMT 钳位电压: 19.5V 是否无铅: Yes 原始制造商: Shanghai Prisemi Electronics Co., Ltd. 功率-峰值脉冲: 80W 无卤: Yes 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 0.60 x 0.30mm 封装/外壳: DFN0603-2L 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 4.5A 原产国家: China 击穿电压Max: 9V 最小包装: 12000pcs 结电容: 0.3pF 高度: 0.30mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 5.6V
PTVSHC3D15VUH
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性:单向 反向截止电压(Vrwm):15V@Max 击穿电压(最小值):16V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:60A@8/20μs 最大钳位电压:30V
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性:单向 反向截止电压(Vrwm):15V@Max 击穿电压(最小值):16V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:60A@8/20μs 最大钳位电压:30V