WINSOK
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WSP4882
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=26mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 8A 功率耗散: 2W 阈值电压: 1.8V@250µA 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 26mΩ@10V,8A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 8A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP-8 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 输入电容: 580pF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 类型: 2个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=26mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 8A 功率耗散: 2W 阈值电压: 1.8V@250µA 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 26mΩ@10V,8A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 8A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP-8 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 输入电容: 580pF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 类型: 2个N沟道
WST2301A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.5A 功率(Pd)：1W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23N 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 30pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 5nC 配置: 单路 输入电容: 465pF Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 7.8nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.5A 功率(Pd)：1W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23N 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 30pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 5nC 配置: 单路 输入电容: 465pF Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 7.8nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
WSF40P03
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：2.5W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 1.6V@250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 40A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±25V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±25V 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 2.40mm 晶体管类型: P沟道 应用: Consumer 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：2.5W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 1.6V@250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 40A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±25V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±25V 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 2.40mm 晶体管类型: P沟道 应用: Consumer 引脚数: 3Pin
WST2033
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Dual P-Channel Vdss=20V SOT-23-6L
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): -4.5A 功率耗散: 1.1W 击穿电压: 20V 阈值电压: 700mV@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT23-6 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 150pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: 2个P沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Dual P-Channel Vdss=20V SOT-23-6L
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): -4.5A 功率耗散: 1.1W 击穿电压: 20V 阈值电压: 700mV@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT23-6 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 150pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: 2个P沟道(双)
WST6045
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT23-6 N-Channel ID=5A
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 5A 功率耗散: 1.6W 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 40mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5A 封装/外壳: SOT-23-6L 反向传输电容Crss: 26pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 11.5nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 540pF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 晶体管类型: N沟道 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT23-6 N-Channel ID=5A
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 5A 功率耗散: 1.6W 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 40mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5A 封装/外壳: SOT-23-6L 反向传输电容Crss: 26pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 11.5nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 540pF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 晶体管类型: N沟道 引脚数: 6Pin
WSK140N08
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：250W
安装类型: SMT 击穿电压: 80V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.8mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 140A 长x宽/尺寸: 10.31 x 8.90mm 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 栅极源极击穿电压: ±25V 反向传输电容Crss: 235pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 80V 高度: 4.67mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：250W
安装类型: SMT 击穿电压: 80V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.8mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 140A 长x宽/尺寸: 10.31 x 8.90mm 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 栅极源极击穿电压: ±25V 反向传输电容Crss: 235pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 80V 高度: 4.67mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
WSD30L20DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-20A 功率(Pd)：16.6W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压: -1.7V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 20A 封装/外壳: DFN-8(3x3) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 120pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 19nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-20A 功率(Pd)：16.6W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压: -1.7V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 20A 封装/外壳: DFN-8(3x3) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 120pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 19nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
WST3032
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETSOT323 N-Channel ID=200mA
安装类型: SMT 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 0.2A 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5Ω@10V,200mA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 200mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETSOT323 N-Channel ID=200mA
安装类型: SMT 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 0.2A 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5Ω@10V,200mA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 200mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
WSP9936
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 2N-Channel VDS=20V VGS=±12V SOP8
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 0.75V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 8A 封装/外壳: SOP-8 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 15.6nC@4.5V 高度: 1.05mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 2N-Channel VDS=20V VGS=±12V SOP8
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 0.75V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 8A 封装/外壳: SOP-8 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 15.6nC@4.5V 高度: 1.05mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 8Pin
WSF18N15
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：72.6W
安装类型: SMT 击穿电压: 150V 功率耗散: 72.6W 阈值电压: 2.5V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 17A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 83pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 25.1nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 150V 栅极电荷(Qg): 25.1nC@4.5V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：72.6W
安装类型: SMT 击穿电压: 150V 功率耗散: 72.6W 阈值电压: 2.5V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 17A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 83pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 25.1nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 150V 栅极电荷(Qg): 25.1nC@4.5V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道