WINSOK
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WSD90P06DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：96W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 96W 阈值电压: 1.85V@250uA 额定功率: 96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 10.5mΩ@10V,30A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 90A 长x宽/尺寸: 5.85 X 5.40mm 封装/外壳: DFN5x6-8L 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 121nC@10V 高度: 1.17mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：96W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 96W 阈值电压: 1.85V@250uA 额定功率: 96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 10.5mΩ@10V,30A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 90A 长x宽/尺寸: 5.85 X 5.40mm 封装/外壳: DFN5x6-8L 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 121nC@10V 高度: 1.17mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 4Pin
WSF20P03
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=27A RDS(ON)=32mΩ@10V TO252
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 25W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 32mΩ@10V,5A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 27A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 漏极电流: -27A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 158pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 12.6nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±25V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=27A RDS(ON)=32mΩ@10V TO252
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 25W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 32mΩ@10V,5A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 27A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 漏极电流: -27A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 158pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 12.6nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±25V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: P沟道
WSD3045DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A,15.3A RDS(ON)=10.5mΩ,24mΩ@10V
安装类型: SMT 功率耗散: 2.1W 阈值电压: 1.8V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,6A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 18A,15.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 漏极电流: 18A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 2.7nC@4.5V 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 类型: 1个N沟道+1个P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A,15.3A RDS(ON)=10.5mΩ,24mΩ@10V
安装类型: SMT 功率耗散: 2.1W 阈值电压: 1.8V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,6A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 18A,15.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 漏极电流: 18A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 2.7nC@4.5V 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 类型: 1个N沟道+1个P沟道 引脚数: 8Pin
WSP4016
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=15.5A RDS(ON)=11.5mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2.08W 阈值电压: 1.8V@250µA 额定功率: 2.08W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,7A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 15.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOP-8 漏极电流: 15.5A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 20nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 20nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=15.5A RDS(ON)=11.5mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2.08W 阈值电压: 1.8V@250µA 额定功率: 2.08W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,7A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 15.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOP-8 漏极电流: 15.5A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 20nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 20nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
WSD30150DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=2.4mΩ@10V
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.7V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.4mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 150A 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 封装/外壳: DFN8_4.9X5.75MM 漏极电流: 150A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 320pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 26nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.17mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=2.4mΩ@10V
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.7V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.4mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 150A 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 封装/外壳: DFN8_4.9X5.75MM 漏极电流: 150A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 320pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 26nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.17mm 晶体管类型: N沟道
WST2304
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6.3A RDS(ON)=25mΩ@4.5V SOT23N
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 700mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.3A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23N 漏极电流: 6.3A 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 8.5nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±8V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6.3A RDS(ON)=25mΩ@4.5V SOT23N
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 700mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.3A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23N 漏极电流: 6.3A 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 8.5nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±8V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: N沟道
WSF38P10
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：54W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 54W 额定功率: 54W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 95mΩ 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: -2.5V 工作温度: -55℃~+155℃ 充电电量: 44nC 配置: 单路 输入电容: 3.029nF Vgs(Max): -2.5V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 44nC 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：54W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 54W 额定功率: 54W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 95mΩ 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: -2.5V 工作温度: -55℃~+155℃ 充电电量: 44nC 配置: 单路 输入电容: 3.029nF Vgs(Max): -2.5V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 44nC 晶体管类型: P沟道
WST2088A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7.5A 功率(Pd)：1.25W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1.25W 额定功率: 1.25W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 7.5A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 10nC 配置: 单路 输入电容: 590pF Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7.5A 功率(Pd)：1.25W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1.25W 额定功率: 1.25W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 7.5A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 10nC 配置: 单路 输入电容: 590pF Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
WSD2050DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=40A RDS(ON)=14mΩ@10V
安装类型: SMT 功率耗散: 28W 阈值电压: 600mV@250µA 额定功率: 28W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 漏极电流: 40A 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 113pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 10nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 1.2nF Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 0.85mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=40A RDS(ON)=14mΩ@10V
安装类型: SMT 功率耗散: 28W 阈值电压: 600mV@250µA 额定功率: 28W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 漏极电流: 40A 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 113pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 10nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 1.2nF Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 0.85mm 晶体管类型: N沟道
WST3052
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT323 N-Channel ID=2.5A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压: 700mV@250µA 额定功率: 700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 50mΩ@4.5V,2.5A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-323 漏极电流: 2.5A 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 4nC@4.5V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT323 N-Channel ID=2.5A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压: 700mV@250µA 额定功率: 700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 50mΩ@4.5V,2.5A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-323 漏极电流: 2.5A 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 4nC@4.5V 晶体管类型: N沟道