BLUE ROCKET
商品列表
KSD1616A
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：750mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：150mV@1A,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：135@100mA,2V 特征频率(fT)：160MHz 工作温度：+150℃@(Tj) G(200-400) NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：750mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：150mV@1A,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：135@100mA,2V 特征频率(fT)：160MHz 工作温度：+150℃@(Tj) G(200-400) NPN
ES2JB
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 电压:600V 电流:2A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.68V@2A 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):2A 反向恢复时间(trr):35ns
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 电压:600V 电流:2A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.68V@2A 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):2A 反向恢复时间(trr):35ns
BRCS70N08IP
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：130W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：130W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA
MMBT3906
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 PNP 40V 200mA 100~300
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 300mW 集电极-基极电压（VCBO）: 40V 额定功率: 300mW 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 40V Vce饱和压降: 400mV 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 40V 极性: PNP 跃迁频率: 250MHz 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 200mA 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 1.30mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 100~300 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 PNP 40V 200mA 100~300
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 300mW 集电极-基极电压（VCBO）: 40V 额定功率: 300mW 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 40V Vce饱和压降: 400mV 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 40V 极性: PNP 跃迁频率: 250MHz 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 200mA 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 1.30mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 100~300 晶体管类型: PNP
BAV99
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: SOT-23 硅半导体二极管 正向压降VF:1.25V 反向漏电流IR:50µA
二极管配置: 1对串联 安装类型: SMT 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 1A 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.25V@150mA 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 反向漏电流IR: 50µA 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 70V 反向耐压VR: 70V 平均整流电流: 200mA 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 350mW 反向恢复时间(trr): 4ns 正向压降VF Max: 1.25V 高度: 1.20mm
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: SOT-23 硅半导体二极管 正向压降VF:1.25V 反向漏电流IR:50µA
二极管配置: 1对串联 安装类型: SMT 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 1A 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.25V@150mA 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 反向漏电流IR: 50µA 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 70V 反向耐压VR: 70V 平均整流电流: 200mA 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 350mW 反向恢复时间(trr): 4ns 正向压降VF Max: 1.25V 高度: 1.20mm
KTC3875-GR
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,6V
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,6V
DTA114EKA
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: 带预偏置三极管 PNP SOT23 Vcc=50V Ic=100mA Io=50mA Pc=200mW Ft=250MHz
正向电流: -50mA 安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 200mW 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 额定功率: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 包装: Tape/reel 极性: PNP 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 集电极电流 Ic: 100mA 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 高度: 1.30mm DC电流增益(hFE): 30 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: 带预偏置三极管 PNP SOT23 Vcc=50V Ic=100mA Io=50mA Pc=200mW Ft=250MHz
正向电流: -50mA 安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 200mW 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 额定功率: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 包装: Tape/reel 极性: PNP 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 集电极电流 Ic: 100mA 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 高度: 1.30mm DC电流增益(hFE): 30 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
SS510C
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 SMC Vrrm=100V If=5A Ifsm=150A Ci=400pF
安装类型: SMT 封装/外壳: SMC(DO-214AB) 二极管配置: 独立式 反向漏电流IR: 1mA@100V 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 150A 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 5A 高度: 2.62mm 正向压降VF: 850mV@5A 长x宽/尺寸: 7.00 x 6.20mm
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 SMC Vrrm=100V If=5A Ifsm=150A Ci=400pF
安装类型: SMT 封装/外壳: SMC(DO-214AB) 二极管配置: 独立式 反向漏电流IR: 1mA@100V 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 150A 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 5A 高度: 2.62mm 正向压降VF: 850mV@5A 长x宽/尺寸: 7.00 x 6.20mm