BLUE ROCKET

2SA1013T-0
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：500mW

BRCS9435SC
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.3A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@10V,5.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

2SB1132-Q
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：32V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：500mW 集电极截止电流(Icbo)：500nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@100mA,3V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：+150℃@(Tj) Q(120-270)

2SC945M-P
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,6V

KTA1268
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：120V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@2mA,6V GR(200-400) PNP

9014M-CHJ6C
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：400mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：140mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,5V 特征频率(fT)：270MHz 工作温度：+150℃@(Tj)

US5JC
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 电压:600V 电流:5A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.65V@5A 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):5A 反向恢复时间(trr):75ns

SMBJ200A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 SMB Unidirectional Pppm=600W Ifsm=100A Cj=390pF Vrrm=200V It=1mA Vc=324V Ipp=1.9A
安装类型: SMT 钳位电压: 324V 品牌: BLUE ROCKET 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 224V 功率-峰值脉冲: 600W 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 1.9A 系列: SMBJ 最小包装: 3000pcs 高度: 2.44mm 结电容: 390pF 零件状态: Active 击穿电压 -min: 224V 类型: TVS

2SC2881-Y
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：120V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@100mA,5V Y(120-240)

SS24BF
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：550mV@2A