BORN
商品列表
PESD12VL2BT-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管阵列SOT23 VC=35V IPP=12A PPP=350W VRWM=12V
安装类型: SMT 钳位电压: 35V 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 0.1μA 击穿电压: 13.3V 最大工作电压(DC): 12V 无卤: Yes 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 12A 击穿电压Max: 17V 通道数: 1 结电容: 30pF@1MHz 高度: 1.15mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 13.3V 应用: Computer Server,Industrial,Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管阵列SOT23 VC=35V IPP=12A PPP=350W VRWM=12V
安装类型: SMT 钳位电压: 35V 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 0.1μA 击穿电压: 13.3V 最大工作电压(DC): 12V 无卤: Yes 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 12A 击穿电压Max: 17V 通道数: 1 结电容: 30pF@1MHz 高度: 1.15mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 13.3V 应用: Computer Server,Industrial,Consumer
SMFJ24CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 瞬态电压抑制器VC=38.9V IPP=5.1A SOD123FL
安装类型: SMT 钳位电压: 38.9V 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 26.7V 最大工作电压(DC): 24V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.00 x 2.00mm 封装/外壳: SOD-123FL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 5.10A 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 1.40mm 击穿电压 -min: 26.7V 应用: Computer Server,Industrial,Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 瞬态电压抑制器VC=38.9V IPP=5.1A SOD123FL
安装类型: SMT 钳位电压: 38.9V 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 26.7V 最大工作电压(DC): 24V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.00 x 2.00mm 封装/外壳: SOD-123FL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 5.10A 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 1.40mm 击穿电压 -min: 26.7V 应用: Computer Server,Industrial,Consumer
PESD5V0S1BLN
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 晶体管电压抑制二极管 DFN1006 VC=12V IPP=8A PPP=100W VRWM=5V
安装类型: SMT 钳位电压: 13V 最大工作电压(DC): 5V 击穿电压: 6.5V 无卤: Yes 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 存储温度: -55~+125℃ 封装/外壳: DFN1006 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 8A 通道数: 1 最小包装: 10000pcs 高度: 0.50mm 结电容: 18pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 6.5V 引脚数: 2Pin 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 晶体管电压抑制二极管 DFN1006 VC=12V IPP=8A PPP=100W VRWM=5V
安装类型: SMT 钳位电压: 13V 最大工作电压(DC): 5V 击穿电压: 6.5V 无卤: Yes 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 存储温度: -55~+125℃ 封装/外壳: DFN1006 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 8A 通道数: 1 最小包装: 10000pcs 高度: 0.50mm 结电容: 18pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 6.5V 引脚数: 2Pin 类型: TVS
PESD5Z5.0-N
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: TVS(ESD)
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 反向漏电流 IR: 0.5uA 结电容值: 80pF@1MHz 零件状态: 在售 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 极性（单双向）: 单向 工作电压VR-VI(max): 5V 击穿电压 V(BR)-min: 6.0V 钳位电压 VC: 13V 峰值脉冲电流（Ipp）: 15A 峰值脉冲功率: 250W 工作温度: -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOD-523
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: TVS(ESD)
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 反向漏电流 IR: 0.5uA 结电容值: 80pF@1MHz 零件状态: 在售 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 极性（单双向）: 单向 工作电压VR-VI(max): 5V 击穿电压 V(BR)-min: 6.0V 钳位电压 VC: 13V 峰值脉冲电流（Ipp）: 15A 峰值脉冲功率: 250W 工作温度: -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOD-523
SMD0603-003/30N
供应商: Anychip Mall
分类: PTC自恢复保险丝
描述: SMD0603聚合物PTC VMAX=30V IMAX=20A
安装类型: SMT 保持电流: 30mA 品牌: BORN 熔断电流: 90mA 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.85 x 1.05mm 封装/外壳: 0603 工作温度: -40℃~+85℃ 电阻-跳断后（R1）（最大值）: 50Ω 系列: SMD0603 最大工作电压: 30V 原产国家: China 跳闸动作电流（It）: 90mA 额定电压-DC: 30V 电阻-初始（Ri）（最小值）: 6Ω 功率耗散（最大值）: 500mW 熔断时间: 1sec 高度: 0.75mm 零件状态: Active 电流-最大值: 20A
供应商: Anychip Mall
分类: PTC自恢复保险丝
描述: SMD0603聚合物PTC VMAX=30V IMAX=20A
安装类型: SMT 保持电流: 30mA 品牌: BORN 熔断电流: 90mA 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.85 x 1.05mm 封装/外壳: 0603 工作温度: -40℃~+85℃ 电阻-跳断后（R1）（最大值）: 50Ω 系列: SMD0603 最大工作电压: 30V 原产国家: China 跳闸动作电流（It）: 90mA 额定电压-DC: 30V 电阻-初始（Ri）（最小值）: 6Ω 功率耗散（最大值）: 500mW 熔断时间: 1sec 高度: 0.75mm 零件状态: Active 电流-最大值: 20A
SI2302S
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel SOT-23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 功率耗散: 1W 阈值电压: ±10V 原始制造商: BORN SEMICONDUCTOR 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.5A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: 0.4~1.0V 工作温度: +150℃ 输入电容: 160pF Vgs(Max): 0.4~1.0V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: Active 栅极电荷(Qg): 4nC 高度: 0.90mm 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel SOT-23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 功率耗散: 1W 阈值电压: ±10V 原始制造商: BORN SEMICONDUCTOR 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.5A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: 0.4~1.0V 工作温度: +150℃ 输入电容: 160pF Vgs(Max): 0.4~1.0V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: Active 栅极电荷(Qg): 4nC 高度: 0.90mm 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道
PESD5V0X1BT-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管阵列SOT-23 VC=12V IPP=3.5A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 0.5uA 最大工作电压(DC): 5V 电源电压: 5V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 3.5A 最小包装: 3000pcs 高度: 1.15mm 结电容: 0.7pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 7V 类型: ESD 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管阵列SOT-23 VC=12V IPP=3.5A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 0.5uA 最大工作电压(DC): 5V 电源电压: 5V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 3.5A 最小包装: 3000pcs 高度: 1.15mm 结电容: 0.7pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 7V 类型: ESD 引脚数: 3Pin
BZT52C3V0S
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 齐纳/稳压二极管 2.8-3.2V Izt=5mA SOD-323
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 正向电流: 10mA 稳压值(范围): 2.8V~3.2V Izt-测试电流: 5mA 包装: Tape/Reel Zzt阻抗: 95Ω 存储温度: -65~+150℃ 反向漏电流IR: 10µA 封装/外壳: SOD-323 元件生命周期: Active 脚间距: 2.2mm 原产国家: China 反向耐压VR: 1V 平均整流电流: 5A 功率耗散（最大值）: 500mW 认证信息: RoHS 正向压降VF Max: 900mV 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 齐纳/稳压二极管 2.8-3.2V Izt=5mA SOD-323
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 正向电流: 10mA 稳压值(范围): 2.8V~3.2V Izt-测试电流: 5mA 包装: Tape/Reel Zzt阻抗: 95Ω 存储温度: -65~+150℃ 反向漏电流IR: 10µA 封装/外壳: SOD-323 元件生命周期: Active 脚间距: 2.2mm 原产国家: China 反向耐压VR: 1V 平均整流电流: 5A 功率耗散（最大值）: 500mW 认证信息: RoHS 正向压降VF Max: 900mV 零件状态: Active
PESD5V0U1BA-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管VC=17V IPP=14A SOD323 VRWM=5V Ppp=230W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1μA 最大工作电压(DC): 5V 击穿电压: 6V 功率-峰值脉冲: 230W 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.30mm 存储温度: -55~+125℃ 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 14A 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 结电容: 1.4pF@1MHz 高度: 1.00mm 击穿电压 -min: 6V 类型: ESD
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管VC=17V IPP=14A SOD323 VRWM=5V Ppp=230W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1μA 最大工作电压(DC): 5V 击穿电压: 6V 功率-峰值脉冲: 230W 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.30mm 存储温度: -55~+125℃ 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 14A 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 结电容: 1.4pF@1MHz 高度: 1.00mm 击穿电压 -min: 6V 类型: ESD
PESD12VV1BL-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管 VC=24V IPP=5A Ppp=120W DFN1006
安装类型: SMT 钳位电压: 24V 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.1μA 最大工作电压(DC): 12V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 封装/外壳: DFN1006 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5A 原产国家: China 最小包装: 10000pcs 认证信息: RoHS 高度: 0.50mm 结电容: 10pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 13.3V 应用: Computer Server,Industrial,Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管 VC=24V IPP=5A Ppp=120W DFN1006
安装类型: SMT 钳位电压: 24V 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.1μA 最大工作电压(DC): 12V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 封装/外壳: DFN1006 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5A 原产国家: China 最小包装: 10000pcs 认证信息: RoHS 高度: 0.50mm 结电容: 10pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 13.3V 应用: Computer Server,Industrial,Consumer