BORN
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PESD12VL2BT-N
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管（TVS）
描述: SOT-23 12V 双向 静电TVS PCAN/串口
安装类型: SMT 钳位电压: 35V 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 0.1μA 击穿电压: 13.3V 功率-峰值脉冲: 350W 无卤: Yes 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 存储温度: -55~+125℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 12A 额定电压-DC: 12V 通道数: 1 高度: 1.15mm 结电容: 30pF@1MHz 击穿电压 -min: 13.3V 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管（TVS）
描述: SOT-23 12V 双向 静电TVS PCAN/串口
安装类型: SMT 钳位电压: 35V 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 0.1μA 击穿电压: 13.3V 功率-峰值脉冲: 350W 无卤: Yes 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 存储温度: -55~+125℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 12A 额定电压-DC: 12V 通道数: 1 高度: 1.15mm 结电容: 30pF@1MHz 击穿电压 -min: 13.3V 类型: TVS
SMFJ24CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 瞬态电压抑制器VC=38.9V IPP=5.1A SOD123FL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 26.7V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 功率-峰值脉冲: 200W 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.00 x 2.00mm 封装/外壳: SOD-123FL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 5.10A 额定电压-DC: 24V 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 1.40mm 击穿电压 -min: 26.7V 应用: Computer Server,Industrial,Consumer 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 瞬态电压抑制器VC=38.9V IPP=5.1A SOD123FL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 26.7V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 功率-峰值脉冲: 200W 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.00 x 2.00mm 封装/外壳: SOD-123FL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 5.10A 额定电压-DC: 24V 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 1.40mm 击穿电压 -min: 26.7V 应用: Computer Server,Industrial,Consumer 引脚数: 2Pin
PESD5V0S1BLN
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管（TVS）
描述: 静电TVS 普通信号
安装类型: SMT 钳位电压: 13V 击穿电压: 6.5V 无卤: Yes 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 存储温度: -55~+125℃ 封装/外壳: DFN1006 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 8A 额定电压-DC: 5V 通道数: 1 最小包装: 10000pcs 高度: 0.50mm 结电容: 18pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 6.5V 引脚数: 2Pin 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管（TVS）
描述: 静电TVS 普通信号
安装类型: SMT 钳位电压: 13V 击穿电压: 6.5V 无卤: Yes 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 存储温度: -55~+125℃ 封装/外壳: DFN1006 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 8A 额定电压-DC: 5V 通道数: 1 最小包装: 10000pcs 高度: 0.50mm 结电容: 18pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 6.5V 引脚数: 2Pin 类型: TVS
PESD5Z5.0-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管IPP=15A VC=13V SOD523
安装类型: SMT 反向漏电流 IR: 0.5μA 电源电压: 5V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 功率-峰值脉冲: 250W 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.70 x 0.90mm 反向断态电压: 5V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOD-523(SC-79) 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 15A 原产国家: China 额定电压-DC: 5V 通道数: 1 高度: 0.7mm 结电容: 80pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 6V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管IPP=15A VC=13V SOD523
安装类型: SMT 反向漏电流 IR: 0.5μA 电源电压: 5V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 功率-峰值脉冲: 250W 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.70 x 0.90mm 反向断态电压: 5V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOD-523(SC-79) 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 15A 原产国家: China 额定电压-DC: 5V 通道数: 1 高度: 0.7mm 结电容: 80pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 6V
SMD0603-003/30N
供应商: Anychip Mall
分类: PTC自恢复保险丝
描述: SMD0603聚合物PTC VMAX=30V IMAX=20A
安装类型: SMT 保持电流: 30mA 品牌: BORN 熔断电流: 90mA 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.85 x 1.05mm 封装/外壳: 0603 工作温度: -40℃~+85℃ 电阻-跳断后（R1）（最大值）: 50Ω 系列: SMD0603 最大工作电压: 30V 原产国家: China 跳闸动作电流（It）: 90mA 额定电压-DC: 30V 电阻-初始（Ri）（最小值）: 6Ω 功率耗散（最大值）: 500mW 熔断时间: 1sec 高度: 0.75mm 零件状态: Active 电流-最大值: 20A
供应商: Anychip Mall
分类: PTC自恢复保险丝
描述: SMD0603聚合物PTC VMAX=30V IMAX=20A
安装类型: SMT 保持电流: 30mA 品牌: BORN 熔断电流: 90mA 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.85 x 1.05mm 封装/外壳: 0603 工作温度: -40℃~+85℃ 电阻-跳断后（R1）（最大值）: 50Ω 系列: SMD0603 最大工作电压: 30V 原产国家: China 跳闸动作电流（It）: 90mA 额定电压-DC: 30V 电阻-初始（Ri）（最小值）: 6Ω 功率耗散（最大值）: 500mW 熔断时间: 1sec 高度: 0.75mm 零件状态: Active 电流-最大值: 20A
SI2302S
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel SOT-23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: ±10V 阈值电压: ±10V 原始制造商: BORN SEMICONDUCTOR 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.5A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 输入电容(Ci): 160pF 工作温度: +150℃ 原产国家: China Vgs(Max): 0.4~1.0V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: Active 栅极电荷(Qg): 4nC 高度: 0.90mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel SOT-23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: ±10V 阈值电压: ±10V 原始制造商: BORN SEMICONDUCTOR 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.5A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 输入电容(Ci): 160pF 工作温度: +150℃ 原产国家: China Vgs(Max): 0.4~1.0V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: Active 栅极电荷(Qg): 4nC 高度: 0.90mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
PESD5V0X1BT-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管阵列SOT-23 VC=12V IPP=3.5A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 0.5μA 击穿电压: 8V 电源电压: 5V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 3.5A 额定电压-DC: 5V 最小包装: 3000pcs 高度: 1.15mm 结电容: 0.7pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 7V 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管阵列SOT-23 VC=12V IPP=3.5A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 0.5μA 击穿电压: 8V 电源电压: 5V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 3.5A 额定电压-DC: 5V 最小包装: 3000pcs 高度: 1.15mm 结电容: 0.7pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 7V 引脚数: 3Pin
BZT52C3V0S
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 齐纳/稳压二极管 2.8-3.2V Izt=5mA SOD-323
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 正向电流: 10mA 稳压值(范围): 2.8V~3.2V 功率耗散: 500mW 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 3.20V Zzt阻抗: 95Ω 存储温度: -65~+150℃ 反向漏电流IR: 10µA 封装/外壳: SOD-323 元件生命周期: Active 脚间距: 2.2mm 原产国家: China 反向耐压VR: 1V 平均整流电流: 5A 认证信息: RoHS 正向压降VF Max: 900mV 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 齐纳/稳压二极管 2.8-3.2V Izt=5mA SOD-323
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 正向电流: 10mA 稳压值(范围): 2.8V~3.2V 功率耗散: 500mW 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 3.20V Zzt阻抗: 95Ω 存储温度: -65~+150℃ 反向漏电流IR: 10µA 封装/外壳: SOD-323 元件生命周期: Active 脚间距: 2.2mm 原产国家: China 反向耐压VR: 1V 平均整流电流: 5A 认证信息: RoHS 正向压降VF Max: 900mV 零件状态: Active
PESD5V0U1BA-N
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电（ESD）保护器件
描述: 双向ESD
安装类型: SMT 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 6V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.30mm 反向断态电压: 5V 封装/外壳: SOD-323 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 14A 额定电压-DC: 5V 认证信息: RoHS 高度: 1.00mm 结电容: 1.4pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 6V 引脚数: 2Pin 应用: Computer Server,Industrial,Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电（ESD）保护器件
描述: 双向ESD
安装类型: SMT 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 6V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.30mm 反向断态电压: 5V 封装/外壳: SOD-323 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 14A 额定电压-DC: 5V 认证信息: RoHS 高度: 1.00mm 结电容: 1.4pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 6V 引脚数: 2Pin 应用: Computer Server,Industrial,Consumer
PESD12VV1BL-N
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管（TVS）
描述: DFN1006/0402 12V 双向 静电TVS
安装类型: SMT 钳位电压: 24V 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.1μA 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 封装/外壳: DFN1006 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5A 原产国家: China 额定电压-DC: 12V 最小包装: 10000pcs 认证信息: RoHS 高度: 0.50mm 结电容: 10pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 13.3V
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管（TVS）
描述: DFN1006/0402 12V 双向 静电TVS
安装类型: SMT 钳位电压: 24V 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.1μA 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 封装/外壳: DFN1006 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5A 原产国家: China 额定电压-DC: 12V 最小包装: 10000pcs 认证信息: RoHS 高度: 0.50mm 结电容: 10pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 13.3V