APEC

AP4034GM
供应商: corestaff

AP60AN2K3H
供应商: corestaff

AP10TN028MT
供应商: corestaff

AP60N03S
供应商: corestaff

AP4800GEM
供应商: corestaff

AP10TN135H
供应商: corestaff

AP4410GM
供应商: corestaff

AP9435M
供应商: corestaff

AP2315GEN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道增强型功率MOSFET SOT23S VDS=30V VGS=±16V ID=0.84A
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 690mW 阈值电压: 3V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.25Ω 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 840mA 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 840mA 栅极源极击穿电压: ±16V 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 输入电容: 50pF 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.00mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin

AP95T07GP-HF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 击穿电压: 75V 阈值电压: 4V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5mΩ 包装: Tube packing 连续漏极电流: 80A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: - 封装/外壳: TO-220-3 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 输入电容: 6.87nF 最小包装: 1pcs 漏源电压(Vdss): 75V 正向压降VF Max: 1.3V 栅极电荷(Qg): 135nC 高度: - 晶体管类型: N沟道