HUASHUO
商品列表
HSCB2307
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：2.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@4.5V,8A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：2.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@4.5V,8A
HSU3006
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：53W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,30A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：53W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,30A
HSS2312
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250μA 栅极电荷(Qg@Vgs)：12nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：900pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：100pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250μA 栅极电荷(Qg@Vgs)：12nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：900pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：100pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
HSBB02P15
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：7.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：640mΩ@10V,1A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：7.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：640mΩ@10V,1A
HSM4002
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：7.5A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：7.5A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
HSW6800
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@4.5V,4A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@4.5V,4A
HSSK6303
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：450mΩ@4.5V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：450mΩ@4.5V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
HSU6014
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：31.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：31.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
HSM4805
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 双P-Ch 30V快速开关MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: HUASHUO 击穿电压: -30V 阈值电压: 2.5V 包装: Tape/reel 原产地: China 连续漏极电流: 9A 长x宽/尺寸: 5.00 x 4.00mm 封装/外壳: SOP-8 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 2.215nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 16mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 20nC 高度: 1.55mm 类型: 2个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 双P-Ch 30V快速开关MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: HUASHUO 击穿电压: -30V 阈值电压: 2.5V 包装: Tape/reel 原产地: China 连续漏极电流: 9A 长x宽/尺寸: 5.00 x 4.00mm 封装/外壳: SOP-8 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 2.215nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 16mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 20nC 高度: 1.55mm 类型: 2个P沟道
HSBA15810C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs 1个N沟道 耐压:100V 电流:100A PRPAK-8L(5x6)
安装类型: SMT 品牌: HUASHUO 功率耗散: 208mW 阈值电压: 4V 原始制造商: HUASHUO SEMICONDUCTOR 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 原产地: China 连续漏极电流: 100A 长x宽/尺寸: 5.30 x 5.90mm 封装/外壳: PRPAK-8L(5x6) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 导通电阻(RDS(on): 4.5mΩ@10V 零件状态: Active 高度: 1.20mm 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs 1个N沟道 耐压:100V 电流:100A PRPAK-8L(5x6)
安装类型: SMT 品牌: HUASHUO 功率耗散: 208mW 阈值电压: 4V 原始制造商: HUASHUO SEMICONDUCTOR 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 原产地: China 连续漏极电流: 100A 长x宽/尺寸: 5.30 x 5.90mm 封装/外壳: PRPAK-8L(5x6) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 导通电阻(RDS(on): 4.5mΩ@10V 零件状态: Active 高度: 1.20mm 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道