HUASHUO

HSS2P10
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：320mΩ@10V,2A

HSU3031
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.2mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSBG2024
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 功率(Pd)：700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：230mΩ@4.5V,550mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

HSU3903
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,10A

HSU4094
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：114A 功率(Pd)：74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.2mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA

HSP0115
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：23A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：95mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSL6107
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.5W
安装类型: SMT 功率耗散: 1.5W 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.5V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 140mΩ@10V,2A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 3.70mm 封装/外壳: SOT-223 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 4.6nC 高度: 1.80mm 晶体管类型: P沟道

HSM1562
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：4.8A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@10V,4A

HSM3206
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：13A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSBA6040
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：116A 功率(Pd)：113W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.2mΩ@10V,30A