TWTLSEMI
None
商品列表
2N7002KM
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-723
封装/外壳: SOT-723 安装类型: SMT 功率耗散: 150mW 漏源电压(Vdss): 60V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 115mA 高度: 0.50mm 长x宽/尺寸: 1.20 x 0.80mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-723
封装/外壳: SOT-723 安装类型: SMT 功率耗散: 150mW 漏源电压(Vdss): 60V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 115mA 高度: 0.50mm 长x宽/尺寸: 1.20 x 0.80mm 引脚数: 3Pin
2N7002KN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 60V 200mA DFN1006-3L
封装/外壳: DFN1006-3 安装类型: SMT 功率耗散: 150mW 漏源电压(Vdss): 60V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 200mA 高度: 0.50mm 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 60V 200mA DFN1006-3L
封装/外壳: DFN1006-3 安装类型: SMT 功率耗散: 150mW 漏源电压(Vdss): 60V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 200mA 高度: 0.50mm 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 引脚数: 3Pin
2N7002KDW
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 2个N-沟道 60V 340mA SOT-363
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT-363 功率耗散: 150mW 漏源电压(Vdss): 60V 极性: 2个N-沟道 连续漏极电流: 340mA 高度: 1.00mm 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 2个N-沟道 60V 340mA SOT-363
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT-363 功率耗散: 150mW 漏源电压(Vdss): 60V 极性: 2个N-沟道 连续漏极电流: 340mA 高度: 1.00mm 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm 引脚数: 6Pin
BAT54CW
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 30V 200mA SOT-323
封装/外壳: SOT-323 安装类型: SMT 反向耐压VR: 30V 平均整流电流: 200mA 正向压降VF Max: 1V 高度: 1.00mm 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 30V 200mA SOT-323
封装/外壳: SOT-323 安装类型: SMT 反向耐压VR: 30V 平均整流电流: 200mA 正向压降VF Max: 1V 高度: 1.00mm 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm 引脚数: 3Pin
BAT54CDW
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 30V 200mA SOT-363
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT-363 反向耐压VR: 30V 平均整流电流: 200mA 正向压降VF Max: 1V 高度: 1.00mm 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 30V 200mA SOT-363
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT-363 反向耐压VR: 30V 平均整流电流: 200mA 正向压降VF Max: 1V 高度: 1.00mm 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm 引脚数: 6Pin
MMDT5551
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 NPN+NPN 160V 200mA SOT-363
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT-363 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 200mA 功率耗散: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 160V 高度: 1.00mm DC电流增益(hFE): 100~300 晶体管类型: NPN+NPN 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 NPN+NPN 160V 200mA SOT-363
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT-363 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 200mA 功率耗散: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 160V 高度: 1.00mm DC电流增益(hFE): 100~300 晶体管类型: NPN+NPN 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm 引脚数: 6Pin
BSS84W
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 50V 130mA SOT-323
封装/外壳: SOT-323 安装类型: SMT 功率耗散: 225mW 漏源电压(Vdss): 50V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 130mA 高度: 1.00mm 引脚数: 3Pin 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 50V 130mA SOT-323
封装/外壳: SOT-323 安装类型: SMT 功率耗散: 225mW 漏源电压(Vdss): 50V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 130mA 高度: 1.00mm 引脚数: 3Pin 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm
CJ2102
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 20V 2.1A SOT-323
封装/外壳: SOT-323 安装类型: SMT 功率耗散: 200mW 漏源电压(Vdss): 20V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2.1A 高度: 1.00mm 引脚数: 3Pin 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 20V 2.1A SOT-323
封装/外壳: SOT-323 安装类型: SMT 功率耗散: 200mW 漏源电压(Vdss): 20V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2.1A 高度: 1.00mm 引脚数: 3Pin 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm
BAS70W-05
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 70V 70mA SOT-323
封装/外壳: SOT-323 安装类型: SMT 反向耐压VR: 70V 平均整流电流: 70mA 正向压降VF Max: 1V 高度: 1.00mm 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 70V 70mA SOT-323
封装/外壳: SOT-323 安装类型: SMT 反向耐压VR: 70V 平均整流电流: 70mA 正向压降VF Max: 1V 高度: 1.00mm 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm 引脚数: 3Pin
UMH3N
供应商: Anychip Mall
分类: 数字晶体管
描述: 数字晶体管 50V 100mA SOT-363
封装/外壳: SOT-363 安装类型: SMT 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 高度: 1.00mm 晶体管类型: 2个NPN DC电流增益(hFE): 100~600 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 数字晶体管
描述: 数字晶体管 50V 100mA SOT-363
封装/外壳: SOT-363 安装类型: SMT 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 高度: 1.00mm 晶体管类型: 2个NPN DC电流增益(hFE): 100~600 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 引脚数: 6Pin