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IPP60R074C6
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, CoolMOS C6 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 57.7 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 57.7 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 74 mΩ 通道模式: 增强 最大功率耗散: 480.8 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 正向二极管电压: 0.9V 最高工作温度: +150 °C 长度: 10.36mm 系列: CoolMOS C6 高度: 4.57mm 最低工作温度: -55 °C 宽度: 15.95mm 典型栅极电荷@Vgs: 138 nC @ 10 V 晶体管材料: Si
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, CoolMOS C6 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 57.7 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 57.7 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 74 mΩ 通道模式: 增强 最大功率耗散: 480.8 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 正向二极管电压: 0.9V 最高工作温度: +150 °C 长度: 10.36mm 系列: CoolMOS C6 高度: 4.57mm 最低工作温度: -55 °C 宽度: 15.95mm 典型栅极电荷@Vgs: 138 nC @ 10 V 晶体管材料: Si
FZL4146G
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: 英飞凌 MOSFET 驱动器 4路, 1.6mA, 20引脚 DSO封装 非反相 高侧
引脚数目: 20 封装类型: DSO 输出数目: 4 拓扑: 高侧 驱动器数目: 4 极性: 非反相 安装类型: 表面贴装
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: 英飞凌 MOSFET 驱动器 4路, 1.6mA, 20引脚 DSO封装 非反相 高侧
引脚数目: 20 封装类型: DSO 输出数目: 4 拓扑: 高侧 驱动器数目: 4 极性: 非反相 安装类型: 表面贴装
SN7002NH6327XTSA1
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 NMOS, MOSFET, SIPMOS系列, Vds=60 V, SOT-23封装, 200 mA, 表面贴装, 3引脚, Si晶体管
通道类型: N 最大连续漏极电流: 200 mA 最大漏源电压: 60 V 封装类型: SOT-23 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 7.5 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1.8V 最小栅阈值电压: 0.8V 最大功率耗散: 360 mW 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 NMOS, MOSFET, SIPMOS系列, Vds=60 V, SOT-23封装, 200 mA, 表面贴装, 3引脚, Si晶体管
通道类型: N 最大连续漏极电流: 200 mA 最大漏源电压: 60 V 封装类型: SOT-23 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 7.5 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1.8V 最小栅阈值电压: 0.8V 最大功率耗散: 360 mW 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1
IR25600SPBF
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: Infineon MOSFET 功率驱动器 双路, -3.3 A, 2.3 A, 6 → 20 V电源, 8引脚 SOIC封装 非反相 低侧
引脚数目: 8 封装类型: SOIC 输出数目: 2 拓扑: 低侧 驱动器数目: 2 极性: 非反相 安装类型: 表面贴装
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: Infineon MOSFET 功率驱动器 双路, -3.3 A, 2.3 A, 6 → 20 V电源, 8引脚 SOIC封装 非反相 低侧
引脚数目: 8 封装类型: SOIC 输出数目: 2 拓扑: 低侧 驱动器数目: 2 极性: 非反相 安装类型: 表面贴装
IRG4BC40FPBF
供应商: RS
分类: 晶体管 - IGBT
描述: 英飞凌 晶体管 - IGBT, 49 A, Vce=600 V, ±20V, 3引脚, TO-220AB封装
最大连续集电极电流: 49 A 最大集电极-发射极电压: 600 V 最大栅极发射极电压: ±20V 封装类型: TO-220AB 安装类型: 通孔 通道类型: N 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 长度: 10.54mm 宽度: 4.69mm 高度: 8.77mm 尺寸: 10.54 x 4.69 x 8.77mm 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: 晶体管 - IGBT
描述: 英飞凌 晶体管 - IGBT, 49 A, Vce=600 V, ±20V, 3引脚, TO-220AB封装
最大连续集电极电流: 49 A 最大集电极-发射极电压: 600 V 最大栅极发射极电压: ±20V 封装类型: TO-220AB 安装类型: 通孔 通道类型: N 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 长度: 10.54mm 宽度: 4.69mm 高度: 8.77mm 尺寸: 10.54 x 4.69 x 8.77mm 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +150 °C
BSB165N15NZ3GXUMA1
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, OptiMOS 系列, N沟道, Si, Vds=150 V, 45 A, 7引脚 WDSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 45 A 最大漏源电压: 150 V 封装类型: WDSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 最大漏源电阻值: 17.9 mΩ 通道模式: 增强 最大功率耗散: 78 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 26 nC @ 10 V 正向二极管电压: 1.2V 最高工作温度: +150 °C 系列: OptiMOS 高度: 0.53mm 宽度: 5.05mm 长度: 6.35mm 晶体管材料: Si 最低工作温度: -40°C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, OptiMOS 系列, N沟道, Si, Vds=150 V, 45 A, 7引脚 WDSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 45 A 最大漏源电压: 150 V 封装类型: WDSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 最大漏源电阻值: 17.9 mΩ 通道模式: 增强 最大功率耗散: 78 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 26 nC @ 10 V 正向二极管电压: 1.2V 最高工作温度: +150 °C 系列: OptiMOS 高度: 0.53mm 宽度: 5.05mm 长度: 6.35mm 晶体管材料: Si 最低工作温度: -40°C
IRL7833PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 150 A, 3引脚 TO-220AB封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 150 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 4 mΩ 最大栅阈值电压: 2.3V 最小栅阈值电压: 1.4V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: TO-220AB 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 140000 mW 典型关断延迟时间: 21 ns 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 典型输入电容值@Vds: 4170 pF@ 15 V 典型栅极电荷@Vgs: 32 nC @ 4.5 V 最低工作温度: -55 °C 典型接通延迟时间: 18 ns 高度: 8.77mm 系列: HEXFET 最高工作温度: +175 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 150 A, 3引脚 TO-220AB封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 150 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 4 mΩ 最大栅阈值电压: 2.3V 最小栅阈值电压: 1.4V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: TO-220AB 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 140000 mW 典型关断延迟时间: 21 ns 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 典型输入电容值@Vds: 4170 pF@ 15 V 典型栅极电荷@Vgs: 32 nC @ 4.5 V 最低工作温度: -55 °C 典型接通延迟时间: 18 ns 高度: 8.77mm 系列: HEXFET 最高工作温度: +175 °C
IRF1405ZS-7PPBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=55 V, 150 A, 7引脚 D2PAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 150 A 最大漏源电压: 55 V 最大漏源电阻值: 5 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: D2PAK 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 最大功率耗散: 230000 mW 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 150 nC @ 10 V 高度: 4.55mm 最高工作温度: +175 °C 系列: HEXFET
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=55 V, 150 A, 7引脚 D2PAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 150 A 最大漏源电压: 55 V 最大漏源电阻值: 5 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: D2PAK 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 最大功率耗散: 230000 mW 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 150 nC @ 10 V 高度: 4.55mm 最高工作温度: +175 °C 系列: HEXFET
IRFS7430PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌, MOSFET, HEXFET系列, NMOS, D2PAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 426 A 最大漏源电压: 40 V 封装类型: D2PAK 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 1.2 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.9V 最小栅阈值电压: 2.2V 最大功率耗散: 375 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 晶体管材料: Si 宽度: 9.65mm 每片芯片元件数目: 1 长度: 10.67mm 最高工作温度: +175 °C 典型栅极电荷@Vgs: 300 nC @ 10 V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌, MOSFET, HEXFET系列, NMOS, D2PAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 426 A 最大漏源电压: 40 V 封装类型: D2PAK 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 1.2 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.9V 最小栅阈值电压: 2.2V 最大功率耗散: 375 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 晶体管材料: Si 宽度: 9.65mm 每片芯片元件数目: 1 长度: 10.67mm 最高工作温度: +175 °C 典型栅极电荷@Vgs: 300 nC @ 10 V
IRFB4610PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 73 A, 3引脚 TO-220AB封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 73 A 最大漏源电压: 100 V 最大漏源电阻值: 14 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: TO-220AB 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 190 W 典型关断延迟时间: 3 ns 尺寸: 10.54 x 4.69 x 8.77mm 宽度: 4.69mm 长度: 10.54mm 晶体管材料: Si 典型接通延迟时间: 18 ns 高度: 8.77mm 系列: HEXFET 最高工作温度: +175 °C 典型栅极电荷@Vgs: 90 nC @ 10 V 典型输入电容值@Vds: 3550 pF@ 50 V 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 73 A, 3引脚 TO-220AB封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 73 A 最大漏源电压: 100 V 最大漏源电阻值: 14 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: TO-220AB 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 190 W 典型关断延迟时间: 3 ns 尺寸: 10.54 x 4.69 x 8.77mm 宽度: 4.69mm 长度: 10.54mm 晶体管材料: Si 典型接通延迟时间: 18 ns 高度: 8.77mm 系列: HEXFET 最高工作温度: +175 °C 典型栅极电荷@Vgs: 90 nC @ 10 V 典型输入电容值@Vds: 3550 pF@ 50 V 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C