英飞凌
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BSC093N04LSG
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌, OptiMOS 3系列, 场效应管Mosfet, NMOS, TDSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 49 A 最大漏源电压: 40 V 封装类型: TDSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 13.7 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2V 最小栅阈值电压: 1.2V 最大功率耗散: 2.5 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 典型栅极电荷@Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V 晶体管材料: Si 宽度: 5.35mm 长度: 6.35mm 最高工作温度: +150 °C 每片芯片元件数目: 1
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌, OptiMOS 3系列, 场效应管Mosfet, NMOS, TDSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 49 A 最大漏源电压: 40 V 封装类型: TDSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 13.7 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2V 最小栅阈值电压: 1.2V 最大功率耗散: 2.5 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 典型栅极电荷@Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V 晶体管材料: Si 宽度: 5.35mm 长度: 6.35mm 最高工作温度: +150 °C 每片芯片元件数目: 1
BAS16SH6327XTSA1
供应商: RS
分类: 开关二极管
描述: 英飞凌 开关二极管, Iout=200mA, 表面贴装安装, Vrev=80V, SOT-363 (SC-88)封装, 三, 6引脚
最大正向电流: 200mA 二极管配置: 隔离式 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 3 最大反向电压: 80V 封装类型: SOT-363 (SC-88) 二极管技术: 硅结型 最大正向电压降: 1.25V 引脚数目: 6 最大二极管电容值: 2pF 最高工作温度: +150 °C 长度: 2mm 宽度: 1.25mm 高度: 0.8mm 尺寸: 2 x 1.25 x 0.8mm
供应商: RS
分类: 开关二极管
描述: 英飞凌 开关二极管, Iout=200mA, 表面贴装安装, Vrev=80V, SOT-363 (SC-88)封装, 三, 6引脚
最大正向电流: 200mA 二极管配置: 隔离式 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 3 最大反向电压: 80V 封装类型: SOT-363 (SC-88) 二极管技术: 硅结型 最大正向电压降: 1.25V 引脚数目: 6 最大二极管电容值: 2pF 最高工作温度: +150 °C 长度: 2mm 宽度: 1.25mm 高度: 0.8mm 尺寸: 2 x 1.25 x 0.8mm
AUIPS2041R
供应商: RS
分类: 开关电源芯片
描述: Infineon 智能电源开关, 低边开关, 1.4A, 1W, 5引脚 DPAK封装
电源开关类型: 低边开关 开关接通电阻值: 130mΩ 额定功率: 1W 安装类型: 表面贴装 封装类型: DPAK 引脚数目: 5 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40 °C 尺寸: 6.73 x 7.49 x 2.39mm
供应商: RS
分类: 开关电源芯片
描述: Infineon 智能电源开关, 低边开关, 1.4A, 1W, 5引脚 DPAK封装
电源开关类型: 低边开关 开关接通电阻值: 130mΩ 额定功率: 1W 安装类型: 表面贴装 封装类型: DPAK 引脚数目: 5 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40 °C 尺寸: 6.73 x 7.49 x 2.39mm
IRFU48ZPBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=55 V, 62 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 62 A 最大漏源电压: 55 V 最大漏源电阻值: 11 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 最大功率耗散: 91 W 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 40 nC @ 10 V 高度: 6.1mm 系列: HEXFET 最高工作温度: +175 °C 长度: 6.6mm 每片芯片元件数目: 1 宽度: 2.3mm 晶体管材料: Si
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=55 V, 62 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 62 A 最大漏源电压: 55 V 最大漏源电阻值: 11 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 最大功率耗散: 91 W 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 40 nC @ 10 V 高度: 6.1mm 系列: HEXFET 最高工作温度: +175 °C 长度: 6.6mm 每片芯片元件数目: 1 宽度: 2.3mm 晶体管材料: Si
IRGP4062DPBF
供应商: RS
分类: IGBT
描述: 英飞凌 IGBT, Vce=600 V, 48 A, TO-247AC封装, 3引脚, 通孔安装
最大连续集电极电流: 48 A 最大集电极-发射极电压: 600 V 最大栅极发射极电压: ±20V 封装类型: TO-247AC 安装类型: 通孔 通道类型: N 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 尺寸: 15.9 x 5.3 x 20.3mm
供应商: RS
分类: IGBT
描述: 英飞凌 IGBT, Vce=600 V, 48 A, TO-247AC封装, 3引脚, 通孔安装
最大连续集电极电流: 48 A 最大集电极-发射极电压: 600 V 最大栅极发射极电压: ±20V 封装类型: TO-247AC 安装类型: 通孔 通道类型: N 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 尺寸: 15.9 x 5.3 x 20.3mm
TD92N16/25KOF
供应商: RS
分类: 晶闸管
描述: 英飞凌 二极管/闸流晶体管模块 SCR, 92A, Vrev=1600 / 2500V PCT2050A-40 °C1.4V面板安装200mA+130 °C1600V, 5引脚 模块 20mm封装 25mA
额定平均通态电流: 92A 闸流晶体管类型: PCT 封装类型: 模块 20mm 重复峰值反向电压: 1600 / 2500V 浪涌电流额定值: 2050A 安装类型: 面板安装 最大栅极触发电流: 120mA 最大栅极触发电压: 1.4V 最大保持电流: 200mA 引脚数目: 5 尺寸: 92 x 20 x 30mm
供应商: RS
分类: 晶闸管
描述: 英飞凌 二极管/闸流晶体管模块 SCR, 92A, Vrev=1600 / 2500V PCT2050A-40 °C1.4V面板安装200mA+130 °C1600V, 5引脚 模块 20mm封装 25mA
额定平均通态电流: 92A 闸流晶体管类型: PCT 封装类型: 模块 20mm 重复峰值反向电压: 1600 / 2500V 浪涌电流额定值: 2050A 安装类型: 面板安装 最大栅极触发电流: 120mA 最大栅极触发电压: 1.4V 最大保持电流: 200mA 引脚数目: 5 尺寸: 92 x 20 x 30mm
IRF6795MTR1PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=25 V, 32 A, 7引脚 DirectFET MX封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 32 A 最大漏源电压: 25 V 最大漏源电阻值: 2 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MX 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 通道模式: 增强 最大功率耗散: 2.8 W 最低工作温度: -40 °C 每片芯片元件数目: 1 宽度: 5.05mm 典型栅极电荷@Vgs: 35 nC @ 4.5 V 高度: 0.6mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 5.45mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=25 V, 32 A, 7引脚 DirectFET MX封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 32 A 最大漏源电压: 25 V 最大漏源电阻值: 2 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MX 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 通道模式: 增强 最大功率耗散: 2.8 W 最低工作温度: -40 °C 每片芯片元件数目: 1 宽度: 5.05mm 典型栅极电荷@Vgs: 35 nC @ 4.5 V 高度: 0.6mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 5.45mm
IRF6643TR1PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=150 V, 6.2 A, 7引脚 DirectFET MZ封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 6.2 A 最大漏源电压: 150 V 最大漏源电阻值: 35 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MZ 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 通道模式: 增强 最大功率耗散: 2800 mW 长度: 5.45mm 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -40 °C 典型栅极电荷@Vgs: 10 V 时，39 常闭 宽度: 5.05mm 高度: 0.6mm 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=150 V, 6.2 A, 7引脚 DirectFET MZ封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 6.2 A 最大漏源电压: 150 V 最大漏源电阻值: 35 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MZ 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 通道模式: 增强 最大功率耗散: 2800 mW 长度: 5.45mm 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -40 °C 典型栅极电荷@Vgs: 10 V 时，39 常闭 宽度: 5.05mm 高度: 0.6mm 最高工作温度: +150 °C
TLV4906KFTSA1
供应商: RS
分类: 运动传感器
描述: Infineon 霍尔效应传感器开关, 3引脚表面贴装, 双极磁场+85 °C18 V SC-59封装2.7 V-40 °C, 13.9 mT3mm1.6mm4.7 mT
安装类型: 表面贴装 磁性类型: 双极 最大工作电源电压: 18 V 最小工作电源电压: 2.7 V 封装类型: SC-59 引脚数目: 3 最高工作温度: +85 °C 最低工作温度: -40 °C
供应商: RS
分类: 运动传感器
描述: Infineon 霍尔效应传感器开关, 3引脚表面贴装, 双极磁场+85 °C18 V SC-59封装2.7 V-40 °C, 13.9 mT3mm1.6mm4.7 mT
安装类型: 表面贴装 磁性类型: 双极 最大工作电源电压: 18 V 最小工作电源电压: 2.7 V 封装类型: SC-59 引脚数目: 3 最高工作温度: +85 °C 最低工作温度: -40 °C