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商品列表
GBU2006
供应商: Anychip Mall
分类: 整流桥
描述: 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):20A 正向压降(Vf):1.1V@10A 正向浪涌电流(Ifsm):260A
供应商: Anychip Mall
分类: 整流桥
描述: 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):20A 正向压降(Vf):1.1V@10A 正向浪涌电流(Ifsm):260A
NSH045N100P5
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用:PD 次级侧同步整流。
封装/外壳: PDFN5x6 反向传输电容Crss: 30pF@40V 工作温度: -55℃~+150℃ 阈值电压: 3V@250μA 输入电容: 6.772nF@50V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,50A 漏源电压(Vdss): 100V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 120A 栅极电荷(Qg): 90nC@10V 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用:PD 次级侧同步整流。
封装/外壳: PDFN5x6 反向传输电容Crss: 30pF@40V 工作温度: -55℃~+150℃ 阈值电压: 3V@250μA 输入电容: 6.772nF@50V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,50A 漏源电压(Vdss): 100V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 120A 栅极电荷(Qg): 90nC@10V 类型: 1个N沟道
SS315
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):850mV@3A 反向漏电流(Ir):5uA,正向浪涌电流(IFSM):100A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):850mV@3A 反向漏电流(Ir):5uA,正向浪涌电流(IFSM):100A