SK HYNIX INC
SK Hynix is the global leader in producing semiconductor, such as DRAM and NAND flash and System IC including CMOS Image Sensors. Since pilot production of Korea's first 16Kb SRAM in 1984, SK Hynix consistently led the industry with smaller, faster and lower power semiconductor.
商品列表
ES3JBG
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 表面贴装超快速恢复整流器反向电压 1.68V@3A 5uA@600V 35ns Single 3A -55℃~+150℃@(Tj) 600V SMB
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 是否无铅: Yes 品牌: SK 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.68V@3A 存储温度: -55~150℃ 长x宽/尺寸: 4.38 x 3.62mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 反向耐压VR: 600V 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1.68V 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 表面贴装超快速恢复整流器反向电压 1.68V@3A 5uA@600V 35ns Single 3A -55℃~+150℃@(Tj) 600V SMB
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 是否无铅: Yes 品牌: SK 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.68V@3A 存储温度: -55~150℃ 长x宽/尺寸: 4.38 x 3.62mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 反向耐压VR: 600V 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1.68V 零件状态: Active
ES1AG
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 表面安装超高速恢复整流器 1V@1A 5uA@50V 35ns Single 1A -55℃~+150℃@(Tj) 50V SMA
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 是否无铅: Yes 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V@1A 存储温度: -55~150℃ 长x宽/尺寸: 4.25 x 2.50mm 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 反向耐压VR: 50V 平均整流电流: 1A 最小包装: 5000pcs 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1V 零件状态: Active 高度: 2.05mm
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 表面安装超高速恢复整流器 1V@1A 5uA@50V 35ns Single 1A -55℃~+150℃@(Tj) 50V SMA
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 是否无铅: Yes 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V@1A 存储温度: -55~150℃ 长x宽/尺寸: 4.25 x 2.50mm 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 反向耐压VR: 50V 平均整流电流: 1A 最小包装: 5000pcs 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1V 零件状态: Active 高度: 2.05mm
SK3424
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A
安装类型: SMT 品牌: SK 击穿电压: 30V 功率耗散: - 阈值电压: 1.5V@250μA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SC-59 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -25℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 8.5nC 高度: - 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A
安装类型: SMT 品牌: SK 击穿电压: 30V 功率耗散: - 阈值电压: 1.5V@250μA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SC-59 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -25℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 8.5nC 高度: - 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
KTA1505Y
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 500mA 30V 150mW 100nA 100mV@100mA,10mA 200MHz +150℃@(Tj) 120@100mA,1V SOT-23 双极性三极管 - BJT
安装类型: SMT 品牌: SK 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 集电极-基极电压（VCBO）: -35V Vce饱和压降: 100mV 集射极击穿电压Vce(Max): 30V 包装: Tape/reel 极性: - 跃迁频率: 200MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 500mA 最小包装: 3000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: -5V 零件状态: Active 高度: 1.30mm DC电流增益(hFE): 70~400 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 500mA 30V 150mW 100nA 100mV@100mA,10mA 200MHz +150℃@(Tj) 120@100mA,1V SOT-23 双极性三极管 - BJT
安装类型: SMT 品牌: SK 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 集电极-基极电压（VCBO）: -35V Vce饱和压降: 100mV 集射极击穿电压Vce(Max): 30V 包装: Tape/reel 极性: - 跃迁频率: 200MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 500mA 最小包装: 3000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: -5V 零件状态: Active 高度: 1.30mm DC电流增益(hFE): 70~400 引脚数: 3Pin
RS3ABG
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：50V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.3V@3A 反向电流(Ir)：5μA@50V 反向恢复时间(trr)：150ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 品牌: SK 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.3V@3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 反向耐压VR: 50V 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 150ns 正向压降VF Max: 1.3V 零件状态: Active 高度: 2.44mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：50V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.3V@3A 反向电流(Ir)：5μA@50V 反向恢复时间(trr)：150ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 品牌: SK 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.3V@3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 反向耐压VR: 50V 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 150ns 正向压降VF Max: 1.3V 零件状态: Active 高度: 2.44mm 引脚数: 2Pin
1SMA4734AG
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 稳压二极管 Vz=5.6V 5.32~5.92V Izt=45mA P=1W SMA
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: SK 稳压值(范围): 5.32V~5.92V 功率: 1W 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 45mA 最大稳压值: 5.92V 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 10µA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 标准稳压值: 5.6V 二极管类型: 单相 最小稳压值: 5.32V 反向耐压VR: 2V 最小包装: 5000pcs 功率耗散（最大值）: 1W
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 稳压二极管 Vz=5.6V 5.32~5.92V Izt=45mA P=1W SMA
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: SK 稳压值(范围): 5.32V~5.92V 功率: 1W 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 45mA 最大稳压值: 5.92V 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 10µA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 标准稳压值: 5.6V 二极管类型: 单相 最小稳压值: 5.32V 反向耐压VR: 2V 最小包装: 5000pcs 功率耗散（最大值）: 1W
78L05S
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 输出类型：固定 输出极性：正 最大输入电压：30V 输出电压：5V 输出电流：100mA 电源纹波抑制比(PSRR)：49dB@(120Hz) 三端稳压
安装类型: SMT 输出配置: Positive 电源抑制比(PSRR): 49dB 品牌: SK 压差: 1.7V@40mA 极性: 正极 输入电压: 30V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 输出类型: 固定 负荷调节: 15mV 原产国家: China Taiwan 输出电流: 100mA 静态电流: 6mA 通道数: 1 输出电压: 5V 输入电压（最大值）: 30V 高度: 1.40mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 输出类型：固定 输出极性：正 最大输入电压：30V 输出电压：5V 输出电流：100mA 电源纹波抑制比(PSRR)：49dB@(120Hz) 三端稳压
安装类型: SMT 输出配置: Positive 电源抑制比(PSRR): 49dB 品牌: SK 压差: 1.7V@40mA 极性: 正极 输入电压: 30V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 输出类型: 固定 负荷调节: 15mV 原产国家: China Taiwan 输出电流: 100mA 静态电流: 6mA 通道数: 1 输出电压: 5V 输入电压（最大值）: 30V 高度: 1.40mm 引脚数: 3Pin
MMBZ15VA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS二极管 VRWM=12V VBR(Min)=14.25V VC=21V IPP=1.9A Ppp=40W SOT23-3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压: 21V 反向漏电流 IR: 50nA 击穿电压: 14.25V 功率-峰值脉冲: 40W 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.40mm 反向断态电压: 12V 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 1.9A 原产国家: China Taiwan 额定电压-DC: 12V 通道数: 2 高度: 1.10mm 击穿电压 -min: 14.25V 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS二极管 VRWM=12V VBR(Min)=14.25V VC=21V IPP=1.9A Ppp=40W SOT23-3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压: 21V 反向漏电流 IR: 50nA 击穿电压: 14.25V 功率-峰值脉冲: 40W 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.40mm 反向断态电压: 12V 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 1.9A 原产国家: China Taiwan 额定电压-DC: 12V 通道数: 2 高度: 1.10mm 击穿电压 -min: 14.25V 类型: TVS
SS310BG
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 100V 3A SMB(DO-214AA)
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 品牌: SK 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 80A 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV@3A 长x宽/尺寸: 4.58 x 3.62mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 反向漏电流IR: 300µA 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 高度: 2.29mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 100V 3A SMB(DO-214AA)
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 品牌: SK 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 80A 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV@3A 长x宽/尺寸: 4.58 x 3.62mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 反向漏电流IR: 300µA 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 高度: 2.29mm 引脚数: 2Pin
SS36G
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 时科 SMA single Io: 3A IR: 0.5mA VF: 0.7V
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 80A 总电容C: 450pF 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 500µA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 原产国家: China Taiwan 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V 平均整流电流: 3A 最小包装: 5000pcs 正向压降VF Max: 700mV 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 时科 SMA single Io: 3A IR: 0.5mA VF: 0.7V
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 80A 总电容C: 450pF 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 500µA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 原产国家: China Taiwan 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V 平均整流电流: 3A 最小包装: 5000pcs 正向压降VF Max: 700mV 零件状态: Active