SK HYNIX INC
SK Hynix is the global leader in producing semiconductor, such as DRAM and NAND flash and System IC including CMOS Image Sensors. Since pilot production of Korea's first 16Kb SRAM in 1984, SK Hynix consistently led the industry with smaller, faster and lower power semiconductor.
商品列表
SK3415
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：25V 连续漏极电流(Id)：4.2A
安装类型: SMT 击穿电压: -25V 阈值电压: 1.3V@250μA 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 130mΩ@10V,4.2A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SC59 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -25℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 25V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：25V 连续漏极电流(Id)：4.2A
安装类型: SMT 击穿电压: -25V 阈值电压: 1.3V@250μA 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 130mΩ@10V,4.2A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SC59 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -25℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 25V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
S3JBG
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 整流二极管 VRRM=600V If=3A VF=1.1V CJ=35pF SMB
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 总电容C: 35pF 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.1V@3A 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 二极管类型: Single 反向峰值电压（最大值）: 600V 反向耐压VR: 600V 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 高度: 2.44mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 整流二极管 VRRM=600V If=3A VF=1.1V CJ=35pF SMB
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 总电容C: 35pF 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.1V@3A 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 二极管类型: Single 反向峰值电压（最大值）: 600V 反向耐压VR: 600V 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 高度: 2.44mm 零件状态: Active
C1815
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 三极管 NPN Ic=150mA Vceo=50V P=200mW SOT23
安装类型: SMT 品牌: SK 功率耗散: 200mW 集电极-基极电压（VCBO）: 60V 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. Vce饱和压降: 250mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 极性: NPN 跃迁频率: 80MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 150mA 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 高度: 1.11mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 700 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 三极管 NPN Ic=150mA Vceo=50V P=200mW SOT23
安装类型: SMT 品牌: SK 功率耗散: 200mW 集电极-基极电压（VCBO）: 60V 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. Vce饱和压降: 250mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 极性: NPN 跃迁频率: 80MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 150mA 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 高度: 1.11mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 700 引脚数: 3Pin
1SMA4752AG
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 稳压二极管 Vz=33V 31.3~34.9V Izt=7.5mA P=1W SMA
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: SK 稳压值(范围): 31.3V~34.9V 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 34.9V Zzt阻抗: 45Ω 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 标准稳压值: 33V 二极管类型: 单相 最小稳压值: 31.3V 反向耐压VR: 25V 功率耗散（最大值）: 1W 正向压降VF Max: 1.2V
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 稳压二极管 Vz=33V 31.3~34.9V Izt=7.5mA P=1W SMA
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: SK 稳压值(范围): 31.3V~34.9V 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 34.9V Zzt阻抗: 45Ω 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 标准稳压值: 33V 二极管类型: 单相 最小稳压值: 31.3V 反向耐压VR: 25V 功率耗散（最大值）: 1W 正向压降VF Max: 1.2V
2SK3018W
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 30V 100mA 200mW 8Ω@4V,10mA 1.5V@100uA N Channel SOT-323-3
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: SK 击穿电压: 30V 功率耗散: 200mW 阈值电压: 1.5V 额定功率: 200mW 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100mA 封装/外壳: SOT-323 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 4pF 工作温度: +150℃ 输入电容: 13pF 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 0.90mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 30V 100mA 200mW 8Ω@4V,10mA 1.5V@100uA N Channel SOT-323-3
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: SK 击穿电压: 30V 功率耗散: 200mW 阈值电压: 1.5V 额定功率: 200mW 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100mA 封装/外壳: SOT-323 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 4pF 工作温度: +150℃ 输入电容: 13pF 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 0.90mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
RB160M-60
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 300uA@60V 60V Single 700mV@1A 1A SOD-123FL
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV@2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 反向漏电流IR: 300µA 封装/外壳: SMF(SOD-123FL) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 原产国家: China Taiwan 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 40A 平均整流电流: 1A 最小包装: 3000pcs 结电容: 80pF 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 300uA@60V 60V Single 700mV@1A 1A SOD-123FL
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV@2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 反向漏电流IR: 300µA 封装/外壳: SMF(SOD-123FL) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 原产国家: China Taiwan 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 40A 平均整流电流: 1A 最小包装: 3000pcs 结电容: 80pF 零件状态: Active
SK3402
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: - 阈值电压: 2.5V@250μA 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 8.5nC 零件状态: Active 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: - 阈值电压: 2.5V@250μA 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 8.5nC 零件状态: Active 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
1N4001F
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 整流二极管 VRRM=50V If=1A VF=1.1V CJ=9pF SMAF
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: SK 总电容C: 9pF 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.1V 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm 封装/外壳: SMAF(DO-214AD) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 反向峰值电压（最大值）: 50V 反向耐压VR: 50V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 30A 平均整流电流: 1A 最小包装: 3000pcs 零件状态: Active 高度: 1.10mm
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 整流二极管 VRRM=50V If=1A VF=1.1V CJ=9pF SMAF
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: SK 总电容C: 9pF 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.1V 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm 封装/外壳: SMAF(DO-214AD) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 反向峰值电压（最大值）: 50V 反向耐压VR: 50V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 30A 平均整流电流: 1A 最小包装: 3000pcs 零件状态: Active 高度: 1.10mm
AO3400
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFET
描述: MOS(场效应管) SK(台湾时科) AO3400
产品分类: 分立半导体产品晶体管 封装/外壳: SOT-23(SOT-23-3) FET类型: N沟道 漏源极电压（Vdss）: 30V 漏极电流 Id（最大值）: 5.8A 导通电阻 Rds（on）: 35毫欧 栅源电压 Vgss: ±12V 安装类型: 表面贴装(SMT) 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限）
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFET
描述: MOS(场效应管) SK(台湾时科) AO3400
产品分类: 分立半导体产品晶体管 封装/外壳: SOT-23(SOT-23-3) FET类型: N沟道 漏源极电压（Vdss）: 30V 漏极电流 Id（最大值）: 5.8A 导通电阻 Rds（on）: 35毫欧 栅源电压 Vgss: ±12V 安装类型: 表面贴装(SMT) 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限）
SS56BG
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 表面贴装肖特基势垒整流器 300uA@60V 60V Single 700mV@5A 5A SMB
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: SK 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV@5A 存储温度: -55~150℃ 长x宽/尺寸: 4.58 x 3.62mm 反向漏电流IR: 300µA 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 150A 平均整流电流: 5A 零件状态: Active 结电容: 300pF 高度: 2.29mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 表面贴装肖特基势垒整流器 300uA@60V 60V Single 700mV@5A 5A SMB
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: SK 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV@5A 存储温度: -55~150℃ 长x宽/尺寸: 4.58 x 3.62mm 反向漏电流IR: 300µA 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 150A 平均整流电流: 5A 零件状态: Active 结电容: 300pF 高度: 2.29mm 引脚数: 2Pin