CW

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CW32F003F4P7
供应商: Anychip Mall
分类: 单片机(MCU
描述: CW32F003F4P7 CPU内核:ARM-M系列 RAM总容量:8KB GPIO端口数量:17 工作电压范围:1.65V~5.5V CPU最大主频:48MHz
工作电压(V):: 1.65~5.5 频率最大值(MHz):: 48 Flash(Byte):: 20K RAM(Byte):: 3K Timer/WDT/RTC/EMI:: 5/Y/Y/N ADC通道 x 位(模块数):: 16 x 1 I/O:: 17 串行通讯:: I2C;SPI;2 x UART 封装/温度(℃):: TSSOP-20/-40~105 描述:: ARM Cortex-M0+ 32 位微控制器
供应商: Anychip Mall
分类: 单片机(MCU
描述: CW32F003F4P7 CPU内核:ARM-M系列 RAM总容量:8KB GPIO端口数量:17 工作电压范围:1.65V~5.5V CPU最大主频:48MHz
工作电压(V):: 1.65~5.5 频率最大值(MHz):: 48 Flash(Byte):: 20K RAM(Byte):: 3K Timer/WDT/RTC/EMI:: 5/Y/Y/N ADC通道 x 位(模块数):: 16 x 1 I/O:: 17 串行通讯:: I2C;SPI;2 x UART 封装/温度(℃):: TSSOP-20/-40~105 描述:: ARM Cortex-M0+ 32 位微控制器
CWS5N65AD
供应商: Anychip Mall
分类: CW,SJ-MOSFET
漏源电压BV DSS (V)(Min.):: 650 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):: 700 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):: 850 最大漏极电流Id(on)(A):: 5 驱动电压(V):: 10 通道极性:: N沟道 封装/温度(℃):: TO-252-3/-55~125 描述:: 650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: CW,SJ-MOSFET
漏源电压BV DSS (V)(Min.):: 650 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):: 700 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):: 850 最大漏极电流Id(on)(A):: 5 驱动电压(V):: 10 通道极性:: N沟道 封装/温度(℃):: TO-252-3/-55~125 描述:: 650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
CW24C08AS5
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 8K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: SOT23-5/-40~85
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 8K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: SOT23-5/-40~85
CW24C08AD
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 8K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: SOP-8/-40~85
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 8K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: SOP-8/-40~85
CW24C128AP
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: IIC 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 128k 结构:: x8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: DIP8/-40~85
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: IIC 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 128k 结构:: x8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: DIP8/-40~85
CWS11N65AF
供应商: Anychip Mall
分类: CW,SJ-MOSFET
描述: 650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
漏源电压BV DSS (V)(Min.):: 650 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):: 300 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):: 360 最大漏极电流Id(on)(A):: 11 驱动电压(V):: 10 通道极性:: N沟道 封装/温度(℃):: TO-220F-3/-55~125 描述:: 650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: CW,SJ-MOSFET
描述: 650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
漏源电压BV DSS (V)(Min.):: 650 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):: 300 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):: 360 最大漏极电流Id(on)(A):: 11 驱动电压(V):: 10 通道极性:: N沟道 封装/温度(℃):: TO-220F-3/-55~125 描述:: 650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
CW24C64AC
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 64K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: CPC-8/-40~85
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 64K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: CPC-8/-40~85
CWS24N60AZ
供应商: Anychip Mall
分类: CW,SJ-MOSFET
漏源电压BV DSS (V)(Min.):: 600 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):: 120 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):: 150 最大漏极电流Id(on)(A):: 24 驱动电压(V):: 10 通道极性:: N沟道 封装/温度(℃):: TO-247-3/-55~125 描述:: 600V,150mΩ,24A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: CW,SJ-MOSFET
漏源电压BV DSS (V)(Min.):: 600 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):: 120 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):: 150 最大漏极电流Id(on)(A):: 24 驱动电压(V):: 10 通道极性:: N沟道 封装/温度(℃):: TO-247-3/-55~125 描述:: 600V,150mΩ,24A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET