TSC AMERICA INC.
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1SMA4749R3G
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 24V 容差: ±5% 功率-最大值: 1.25W 阻抗（最大值）（Zzt）: 25 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1µA @ 18.2V 不同If时的电压-正向（Vf）: - 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 24V 容差: ±5% 功率-最大值: 1.25W 阻抗（最大值）（Zzt）: 25 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1µA @ 18.2V 不同If时的电压-正向（Vf）: - 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
TSM2301BCXRFG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: P 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） DraintoSourceVoltage(Vdss): 20V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 2.8A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.8V，4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 950mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 4.5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 415pF @ 6V Vgs（最大值）: ±8V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 900mW（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: SOT-23 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: P 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） DraintoSourceVoltage(Vdss): 20V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 2.8A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.8V，4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 950mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 4.5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 415pF @ 6V Vgs（最大值）: ±8V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 900mW（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: SOT-23 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
P4SMA200AR3G
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
类别: 电路保护 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: P4SMA 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 类型: 齐纳 单向通道: 1 电压-反向关态（典型值）: 171V 电压-击穿（最小值）: 190V 电压-箝位（最大值）@Ipp: 274V 电流-峰值脉冲（10/1000µs）: 1.51A 功率-峰值脉冲: 400W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时的电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
类别: 电路保护 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: P4SMA 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 类型: 齐纳 单向通道: 1 电压-反向关态（典型值）: 171V 电压-击穿（最小值）: 190V 电压-箝位（最大值）@Ipp: 274V 电流-峰值脉冲（10/1000µs）: 1.51A 功率-峰值脉冲: 400W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时的电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
TSM1N80CWRPG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） DraintoSourceVoltage(Vdss): 800V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 300mA（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 200pF @ 25V Vgs（最大值）: ±30V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 2.1W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 21.6 欧姆 @ 150mA，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: SOT-223 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） DraintoSourceVoltage(Vdss): 800V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 300mA（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 200pF @ 25V Vgs（最大值）: ±30V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 2.1W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 21.6 欧姆 @ 150mA，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: SOT-223 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
TS9011SCYRMG
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
类别: 集成电路（IC） 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 零件状态: 在售 稳压器数: 1 电流-输出: 250mA 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
类别: 集成电路（IC） 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 零件状态: 在售 稳压器数: 1 电流-输出: 250mA 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
HS3KBR5G
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 800V 电流-平均整流（Io）: 3A 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.7V @ 3A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 75ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 800V 不同 Vr，F时的电容: 50pF @ 4V，1MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB） 工作温度-结: -55°C ~ 150°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 800V 电流-平均整流（Io）: 3A 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.7V @ 3A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 75ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 800V 不同 Vr，F时的电容: 50pF @ 4V，1MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB） 工作温度-结: -55°C ~ 150°C
BZD27C18PR3G
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 17.95V 容差: ±6.4% 功率-最大值: 1W 阻抗（最大值）（Zzt）: 15 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1µA @ 13V 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.2V @ 200mA 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-219AB 供应商器件封装: Sub SMA
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 17.95V 容差: ±6.4% 功率-最大值: 1W 阻抗（最大值）（Zzt）: 15 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1µA @ 13V 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.2V @ 200mA 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-219AB 供应商器件封装: Sub SMA
DBL101GC1G
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 标准 电压-峰值反向（最大值）: 50V 电流-平均整流（Io）: 1A 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.1V @ 1A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 2µA @ 50V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: DBL
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 标准 电压-峰值反向（最大值）: 50V 电流-平均整流（Io）: 1A 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.1V @ 1A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 2µA @ 50V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: DBL
TSM8N50CPROG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 过期 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） DraintoSourceVoltage(Vdss): 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 7.2A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 26.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1595pF @ 25V Vgs（最大值）: ±30V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 89W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 850 毫欧 @ 3.6A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak） 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 过期 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） DraintoSourceVoltage(Vdss): 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 7.2A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 26.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1595pF @ 25V Vgs（最大值）: ±30V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 89W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 850 毫欧 @ 3.6A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak） 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
ES2CAR3G
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 150V 电流-平均整流（Io）: 2A 不同If时的电压-正向（Vf）: 950mV @ 2A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 35ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 150V 不同 Vr，F时的电容: 25pF @ 4V，1MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: DO-214AC（SMA） 工作温度-结: -55°C ~ 150°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 150V 电流-平均整流（Io）: 2A 不同If时的电压-正向（Vf）: 950mV @ 2A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 35ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 150V 不同 Vr，F时的电容: 25pF @ 4V，1MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: DO-214AC（SMA） 工作温度-结: -55°C ~ 150°C