MAPLESEMI

SLH60R080SS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：47A 功率(Pd)：290W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：68mΩ@10V,23.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：88nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.1nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：62pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

MSF08065G1
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：650V 平均整流电流(Io)：8A 正向压降(Vf)：1.45V@8A 反向电流(Ir)：2μA@650V

SLD65R950S2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：27W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：780mΩ@10V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：17.18nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：350pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：3.5pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

SLD65R420S2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：87W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：330mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：23nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：632pF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：2.3pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

SLF60R380S2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：22nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：634pF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：2.6pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

SLD2N65UZ
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

MSD05120G1
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管

MSP05120G1
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管

SLF12N65C
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-220F

MSP20065G1
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：650V 平均整流电流(Io)：20A 正向压降(Vf)：1.5V@20A 反向电流(Ir)：2μA@650V