ROHM
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R6524KNX
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: 新产品ROHM R6524KNX 系列 N沟道 MOSFET R6524KNX, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FM封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 24 A 最大漏源电压: 650 V 最大漏源电阻值: 185 mΩ 最大栅阈值电压: 5V 最小栅阈值电压: 3V 最大栅源电压: ±30 V 封装类型: TO-220FM 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 74 W 正向二极管电压: 1.5V 典型关断延迟时间: 80 ns 典型接通延迟时间: 35 ns 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 尺寸: 10.3 x 4.8 x 15.4mm 宽度: 4.8mm 长度: 10.3mm 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 45 nC @ 10 V 典型输入电容值@Vds: 1850 pF @ 25 V 系列: R6524KNX 高度: 15.4mm
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: 新产品ROHM R6524KNX 系列 N沟道 MOSFET R6524KNX, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FM封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 24 A 最大漏源电压: 650 V 最大漏源电阻值: 185 mΩ 最大栅阈值电压: 5V 最小栅阈值电压: 3V 最大栅源电压: ±30 V 封装类型: TO-220FM 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 74 W 正向二极管电压: 1.5V 典型关断延迟时间: 80 ns 典型接通延迟时间: 35 ns 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 尺寸: 10.3 x 4.8 x 15.4mm 宽度: 4.8mm 长度: 10.3mm 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 45 nC @ 10 V 典型输入电容值@Vds: 1850 pF @ 25 V 系列: R6524KNX 高度: 15.4mm
RQ5E035XNTCL
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: 新产品ROHM RQ5E035XN 系列 N沟道 MOSFET RQ5E035XNTCL, 3.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-346T封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 3.5 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 50 mΩ 最大栅阈值电压: 2.5V 最小栅阈值电压: 1V 最大栅源电压: ±20 V 封装类型: SOT-346T 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 1 W 典型接通延迟时间: 10 ns 最高工作温度: +150 °C 典型输入电容值@Vds: 180 pF @ 10 V 系列: RQ5E035XN 高度: 0.95mm 典型栅极电荷@Vgs: 3.3 nC @ 5 V 典型关断延迟时间: 25 ns 正向二极管电压: 1.2V 尺寸: 3 x 1.8 x 0.95mm 长度: 3mm 宽度: 1.8mm 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: 新产品ROHM RQ5E035XN 系列 N沟道 MOSFET RQ5E035XNTCL, 3.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-346T封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 3.5 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 50 mΩ 最大栅阈值电压: 2.5V 最小栅阈值电压: 1V 最大栅源电压: ±20 V 封装类型: SOT-346T 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 1 W 典型接通延迟时间: 10 ns 最高工作温度: +150 °C 典型输入电容值@Vds: 180 pF @ 10 V 系列: RQ5E035XN 高度: 0.95mm 典型栅极电荷@Vgs: 3.3 nC @ 5 V 典型关断延迟时间: 25 ns 正向二极管电压: 1.2V 尺寸: 3 x 1.8 x 0.95mm 长度: 3mm 宽度: 1.8mm 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C
R6007JNJGTL
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: 新产品ROHM R6007JNJ 系列 N沟道 MOSFET R6007JNJGTL, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263S封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 7 A 最大漏源电压: 600 V 最大漏源电阻值: 780 mΩ 最大栅阈值电压: 7V 最小栅阈值电压: 5V 最大栅源电压: ±30 V 封装类型: TO-263S 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 96 W 宽度: 9.2mm 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 17.5 nC @ 15 V 高度: 4.7mm 系列: R6007JNJ 最高工作温度: +150 °C 长度: 10.4mm 尺寸: 10.4 x 9.2 x 4.7mm 正向二极管电压: 1.7V 典型关断延迟时间: 32 ns 典型输入电容值@Vds: 475 pF @ 100 V 典型接通延迟时间: 17 ns
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: 新产品ROHM R6007JNJ 系列 N沟道 MOSFET R6007JNJGTL, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263S封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 7 A 最大漏源电压: 600 V 最大漏源电阻值: 780 mΩ 最大栅阈值电压: 7V 最小栅阈值电压: 5V 最大栅源电压: ±30 V 封装类型: TO-263S 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 96 W 宽度: 9.2mm 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 17.5 nC @ 15 V 高度: 4.7mm 系列: R6007JNJ 最高工作温度: +150 °C 长度: 10.4mm 尺寸: 10.4 x 9.2 x 4.7mm 正向二极管电压: 1.7V 典型关断延迟时间: 32 ns 典型输入电容值@Vds: 475 pF @ 100 V 典型接通延迟时间: 17 ns
BM2P091F-G
供应商: RS
分类: 交流-直流控制器
描述: ROHM 交流/直流驱动器, PWM 控制器控制, 1输出, 65 kHz最高开关频率, 8.9 → 26 V输入, 6mA最大输出, 8引脚 SOP封装
控制器类型: PWM 控制器 输出数目: 1 宽度: 3.9mm 最高开关频率: 65 kHz 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOP 引脚数目: 8 尺寸: 4.9 x 3.9 x 1.38mm 长度: 4.9mm 高度: 1.38mm 最大输入电压: 26 V 最高工作温度: +105 °C 最大输出电流: 6mA 最低工作温度: -40 °C 最小输出电流: 1mA 工作温度范围: -40 → +105 °C 输出电流范围: 1 → 6 mA 最小输入电压: 8.9 V 输入电压范围: 8.9 → 26 V
供应商: RS
分类: 交流-直流控制器
描述: ROHM 交流/直流驱动器, PWM 控制器控制, 1输出, 65 kHz最高开关频率, 8.9 → 26 V输入, 6mA最大输出, 8引脚 SOP封装
控制器类型: PWM 控制器 输出数目: 1 宽度: 3.9mm 最高开关频率: 65 kHz 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOP 引脚数目: 8 尺寸: 4.9 x 3.9 x 1.38mm 长度: 4.9mm 高度: 1.38mm 最大输入电压: 26 V 最高工作温度: +105 °C 最大输出电流: 6mA 最低工作温度: -40 °C 最小输出电流: 1mA 工作温度范围: -40 → +105 °C 输出电流范围: 1 → 6 mA 最小输入电压: 8.9 V 输入电压范围: 8.9 → 26 V
UMC4N
供应商: RS
分类: umc4n
描述: ROHM UMC4N NPN + PNP 数字晶体管, 100 mA, 10 (PNP) kΩ, 47 (NPN) kΩ, 电阻比:1/4.7, 5引脚 TUMT封装
晶体管类型: NPN + PNP 最大连续集电极电流: 100 mA 典型输入电阻器: 10 (PNP) kΩ，47 (NPN) kΩ 安装类型: 表面贴装 封装类型: TUMT 引脚数目: 5 最小直流电流增益: 68 典型电阻比: 1 (NPN)，4.7 (PNP) 高度: 0.77mm 宽度: 1.7mm 尺寸: 2 x 1.7 x 0.77mm 长度: 2mm 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -55 °C
供应商: RS
分类: umc4n
描述: ROHM UMC4N NPN + PNP 数字晶体管, 100 mA, 10 (PNP) kΩ, 47 (NPN) kΩ, 电阻比:1/4.7, 5引脚 TUMT封装
晶体管类型: NPN + PNP 最大连续集电极电流: 100 mA 典型输入电阻器: 10 (PNP) kΩ，47 (NPN) kΩ 安装类型: 表面贴装 封装类型: TUMT 引脚数目: 5 最小直流电流增益: 68 典型电阻比: 1 (NPN)，4.7 (PNP) 高度: 0.77mm 宽度: 1.7mm 尺寸: 2 x 1.7 x 0.77mm 长度: 2mm 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -55 °C
R6504KNJTL
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: 新产品Nch 650V 4A Power MOSFET
通道类型: N 最大连续漏极电流: 4 A 最大漏源电压: 650 V 最大漏源电阻值: 1.05 Ω 最大栅阈值电压: 5V 最小栅阈值电压: 3V 最大栅源电压: ±30 V 封装类型: TO-263S 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 58 W 高度: 4.7mm 典型栅极电荷@Vgs: 10 nC @ 10 V 典型关断延迟时间: 30 ns 最低工作温度: -55 °C 每片芯片元件数目: 1 宽度: 9.2mm 典型接通延迟时间: 16 ns 系列: R6504KNJ 典型输入电容值@Vds: 270 pF @ 25 V 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.5V 长度: 10.4mm 尺寸: 10.4 x 9.2 x 4.7mm
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: 新产品Nch 650V 4A Power MOSFET
通道类型: N 最大连续漏极电流: 4 A 最大漏源电压: 650 V 最大漏源电阻值: 1.05 Ω 最大栅阈值电压: 5V 最小栅阈值电压: 3V 最大栅源电压: ±30 V 封装类型: TO-263S 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 58 W 高度: 4.7mm 典型栅极电荷@Vgs: 10 nC @ 10 V 典型关断延迟时间: 30 ns 最低工作温度: -55 °C 每片芯片元件数目: 1 宽度: 9.2mm 典型接通延迟时间: 16 ns 系列: R6504KNJ 典型输入电容值@Vds: 270 pF @ 25 V 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.5V 长度: 10.4mm 尺寸: 10.4 x 9.2 x 4.7mm
RBE1VAM20ATR
供应商: RS
分类: rbe1vam20atr
描述: ROHM 肖特基二极管, 最大连续正向电流1A, 峰值反向重复电压30V, 表面贴装安装, SOD-323HE封装, 2引脚
安装类型: 表面贴装 封装类型: SOD-323HE 最大连续正向电流: 1A 峰值反向重复电压: 30V 二极管配置: 单路 二极管类型: 碳化硅肖特基 引脚数目: 2 每片芯片元件数目: 1
供应商: RS
分类: rbe1vam20atr
描述: ROHM 肖特基二极管, 最大连续正向电流1A, 峰值反向重复电压30V, 表面贴装安装, SOD-323HE封装, 2引脚
安装类型: 表面贴装 封装类型: SOD-323HE 最大连续正向电流: 1A 峰值反向重复电压: 30V 二极管配置: 单路 二极管类型: 碳化硅肖特基 引脚数目: 2 每片芯片元件数目: 1
BM2P0361-Z
供应商: RS
分类: 交流-直流转换器
描述: 新产品ROHM, 交流-直流转换器, 最大输入电压 26 V, 7引脚 DIP封装
安装类型: 通孔 封装类型: DIP 引脚数目: 7 尺寸: 9.27 x 6.35 x 3.3mm 长度: 9.27mm 宽度: 6.35mm 高度: 3.3mm 最大输入电压: 26 V 最高工作温度: +105 °C 最小输入电压: 8.9 V 最低工作温度: -40°C 输入电压范围: 8.9 → 26 V 工作温度范围: -40 → +105 °C
供应商: RS
分类: 交流-直流转换器
描述: 新产品ROHM, 交流-直流转换器, 最大输入电压 26 V, 7引脚 DIP封装
安装类型: 通孔 封装类型: DIP 引脚数目: 7 尺寸: 9.27 x 6.35 x 3.3mm 长度: 9.27mm 宽度: 6.35mm 高度: 3.3mm 最大输入电压: 26 V 最高工作温度: +105 °C 最小输入电压: 8.9 V 最低工作温度: -40°C 输入电压范围: 8.9 → 26 V 工作温度范围: -40 → +105 °C
BZX84C3V3LT116
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: ROHM 1路路 单路 稳压二极管, 3.5V ±5% 250 mW, 3引脚 SOT-23封装
二极管配置: 单路 额定齐纳电压: 3.5V 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 250 mW 封装类型: SOT-23 齐纳类型: 稳压器 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 3 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 95Ω 最大反向漏电流: 5µA 长度: 3.1mm 宽度: 1.5mm 尺寸: 3.1 x 1.5 x 1.15mm 最高工作温度: +150 °C 高度: 1.15mm 典型电压温度系数: 0 (Maximum)mV/°C 功率耗散: 250mW
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: ROHM 1路路 单路 稳压二极管, 3.5V ±5% 250 mW, 3引脚 SOT-23封装
二极管配置: 单路 额定齐纳电压: 3.5V 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 250 mW 封装类型: SOT-23 齐纳类型: 稳压器 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 3 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 95Ω 最大反向漏电流: 5µA 长度: 3.1mm 宽度: 1.5mm 尺寸: 3.1 x 1.5 x 1.15mm 最高工作温度: +150 °C 高度: 1.15mm 典型电压温度系数: 0 (Maximum)mV/°C 功率耗散: 250mW