AOS

AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.

商品列表
AO4618
供应商: Verical
分类: 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
描述: 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm宽),FET类型:N和P沟道,漏源极电压(Vdss):40V,安装类型:表面贴装(SMT)
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm宽) FET类型: N和P沟道 漏源极电压(Vdss): 40V 安装类型: 表面贴装(SMT)
AO6800
供应商: corestaff
AO4616
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFET-阵列-N-和-P-沟道-30V-8A-7A-2W-表面贴装型-8-SOIC
漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时): 8A,7A 栅源极阈值电压: 2.4V @ 250uA 漏源导通电阻: 20mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C): 2W 类型: N沟道和P沟道
AO4354
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 23A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
栅极电荷(Qg)(Max): 49nC@10V 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 配置: Single 安装类型: SMT 漏源电压(Vdss): 30V FET功能: - 封装/外壳: SO8 工作温度(Tj): -55~+150℃ FET类型: N沟道 功率耗散(最大值): 3.1W(Ta) 连续漏极电流Id@25℃: 23A 包装: Tape/reel 供应商器件封装: 8-SOIC 品牌: AOS 极性: N-Channel 输入电容(Ciss)(Max): 2010pF@15V 漏源击穿电压BVDSS: ±20V 是否无铅: Yes 漏源导通电阻 RDS(on): 30V 元件生命周期: Active
AON6144
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: DFN8_5.55X5.2MM_EP 78W
供应商器件封装: 8-DFN(5x6) 配置: Single 安装类型: SMT 包装: Tape/reel 漏源电压(Vdss): 40V 阈值电压Vgs(th): 2.4V@250µA 导通电阻Rds On(Max): 2.4mΩ FET类型: N沟道 FET功能: - 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 工作温度(Tj): -55~+150℃ 功率耗散(最大值): 78W 连续漏极电流Id@25℃: 100A 栅极电荷(Qg)(Max): 70nC@10V 系列: - 原产国家: America 零件状态: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ciss)(Max): 3780pF 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 4.5V,10V
AON6236
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFET N-CH 40V 19A 8DFN
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 2.4V@250µA FET类型: N沟道 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 7毫欧@20A,10V 漏源极电压(Vdss): 40V 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 零件状态: 在售 工作温度(Tj): -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT)
AOZ8802ADI
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS二极管 VRWM=5 V VBR(Min)=6 V VC=16.5 V IPP=12 A Ppp=Original DFN6
工作电压VR-VI(max): 5V(max) 工作温度: -40~+85℃ 钳位电压 VC: 16.5V 峰值脉冲电流(Ipp): 12A 极性(单双向): Unidirectional 供应商器件封装: 6-DFN 结电容值: 0.6pF@1MHz 包装: Tape/Reel 安装类型: SMT 工作电流(Typ): 1μA 长x宽/尺寸: 1.6 x 1.0mm 最大安装高度: 0.55mm 封装/外壳: DFN6 击穿电压 V(BR)-min: 6V 认证信息: RoHS 应用: 以太网,HDMI 品牌: AOZ 湿气敏感性等级(MSL): 1(无限) 电源线路保护: 是
AO3424
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-30V-3.8A(Ta)-1.4W(Ta)-SOT-23-3L
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 2A 漏源电压(Vdss): 30V 栅源极阈值电压: 1.5V @ 250uA 漏源导通电阻: 35mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C): - 类型: N沟道
AO3442
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-100V-1A(Ta)-1.4W(Ta)-SOT-23-3L
漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时): 1A 栅源极阈值电压: 2.9V @ 250uA 漏源导通电阻: 630mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C): 1.4W 类型: N沟道
AON7418
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 46A(Ta),50A(Tc) 6.2W(Ta),83W(Tc) 8-DFN-EP(3.3x3.3)
FET类型: N沟道 FET功能: - 封装/外壳: DFN3x3A-8L 工作温度(Tj): -55~+150℃ 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 46A 功率耗散(最大值): 6.2W(Ta),83W(Tc) 安装类型: SMT 栅极电荷(Qg)(Max): 65nC@10V 配置: Single 供应商器件封装: 8-DFN-EP(3.3x3.3) 漏源电压(Vdss): 30V 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 漏源导通电阻 RDS(on): 30V 栅极源极击穿电压: 2.8mΩ 反向传输电容Crss: 196pF 功率耗散: 83W 技术: MOSFET(金属氧化物) 输入电容Ciss: 2994pF 湿气敏感性等级(MSL): 1(无限)