AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AO4618
供应商: Verical
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）,FET类型:N和P沟道,漏源极电压（Vdss）:40V,安装类型:表面贴装(SMT)
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm宽） FET类型: N和P沟道 漏源极电压（Vdss）: 40V 安装类型: 表面贴装(SMT)
供应商: Verical
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）,FET类型:N和P沟道,漏源极电压（Vdss）:40V,安装类型:表面贴装(SMT)
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm宽） FET类型: N和P沟道 漏源极电压（Vdss）: 40V 安装类型: 表面贴装(SMT)
AO6800
供应商: corestaff
供应商: corestaff
AO4616
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道 N+P沟 30V 8+7A
安装类型: SMT 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 阈值电压Vgs(th): 1.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 8A，7A 极性: N-Channel, P-Channel FET类型: - 封装/外壳: SOIC8_150MIL 元件生命周期: Active 制造商标准提前期: 16 周 配置: Complementary 原产国家: America 供应商器件封装: 8-SOIC FET功能: 逻辑电平门 栅极电荷(Qg)(Max): 18nC@10V 最小包装: 3000pcs 功率(Max): 2W 漏源电压(Vdss): 30V 工作温度(Tj): -55~+150℃ 引脚数: 8Pins
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道 N+P沟 30V 8+7A
安装类型: SMT 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 阈值电压Vgs(th): 1.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 8A，7A 极性: N-Channel, P-Channel FET类型: - 封装/外壳: SOIC8_150MIL 元件生命周期: Active 制造商标准提前期: 16 周 配置: Complementary 原产国家: America 供应商器件封装: 8-SOIC FET功能: 逻辑电平门 栅极电荷(Qg)(Max): 18nC@10V 最小包装: 3000pcs 功率(Max): 2W 漏源电压(Vdss): 30V 工作温度(Tj): -55~+150℃ 引脚数: 8Pins
AO4354
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：23A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.7mΩ@10V,20A N沟道,30V,23A,5.3mΩ@4.5V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 23A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V FET类型: N沟道 存储温度: -55~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO8 制造商标准提前期: 16 周 配置: Single 供应商器件封装: 8-SOIC FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 49nC@10V 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta） 漏源电压(Vdss): 30V 工作温度(Tj): -55~+150℃ 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：23A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.7mΩ@10V,20A N沟道,30V,23A,5.3mΩ@4.5V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 23A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V FET类型: N沟道 存储温度: -55~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO8 制造商标准提前期: 16 周 配置: Single 供应商器件封装: 8-SOIC FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 49nC@10V 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta） 漏源电压(Vdss): 30V 工作温度(Tj): -55~+150℃ 零件状态: Active
AON6144
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：78W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.4mΩ@10V,20A N沟道,40V,100A,2.4Ω@10V
安装类型: SMT 技术: MOSFET（金属氧化物） 阈值电压Vgs(th): 2.4V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 100A 包装: Tape/reel 极性: N-Channel 漏源击穿电压BVDSS: 40V FET类型: N沟道 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 栅极源极击穿电压: ±20V 配置: Single 输入电容(Ciss)(Max): 3780pF 原产国家: America 供应商器件封装: 8-DFN（5x6） FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 70nC@10V 漏源电压(Vdss): 40V 功率耗散（最大值）: 78W 导通电阻Rds On(Max): 2.4mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：78W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.4mΩ@10V,20A N沟道,40V,100A,2.4Ω@10V
安装类型: SMT 技术: MOSFET（金属氧化物） 阈值电压Vgs(th): 2.4V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 100A 包装: Tape/reel 极性: N-Channel 漏源击穿电压BVDSS: 40V FET类型: N沟道 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 栅极源极击穿电压: ±20V 配置: Single 输入电容(Ciss)(Max): 3780pF 原产国家: America 供应商器件封装: 8-DFN（5x6） FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 70nC@10V 漏源电压(Vdss): 40V 功率耗散（最大值）: 78W 导通电阻Rds On(Max): 2.4mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃
AON6236
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel VDS=40V ID=30A DFN8_5X6MM_EP
安装类型: SMT 功率耗散: 39W 阈值电压Vgs(th): 2.4V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 30A 包装: Tape/reel FET类型: N-Channel 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 反向传输电容Crss: 26.5pF 配置: Single 输入电容(Ciss)(Max): 1225pF@20V 系列: - 供应商器件封装: 8-DFN（5x6） FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 26nC@10V 漏源电压(Vdss): 40V 功率耗散（最大值）: 4.2W（Ta），39W（Tc） 工作温度(Tj): -55~+150℃ 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel VDS=40V ID=30A DFN8_5X6MM_EP
安装类型: SMT 功率耗散: 39W 阈值电压Vgs(th): 2.4V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 30A 包装: Tape/reel FET类型: N-Channel 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 反向传输电容Crss: 26.5pF 配置: Single 输入电容(Ciss)(Max): 1225pF@20V 系列: - 供应商器件封装: 8-DFN（5x6） FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 26nC@10V 漏源电压(Vdss): 40V 功率耗散（最大值）: 4.2W（Ta），39W（Tc） 工作温度(Tj): -55~+150℃ 零件状态: Active
AOZ8802ADI
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS二极管 VRWM=5 V VBR(Min)=6 V VC=16.5 V IPP=12 A Ppp=Original DFN6
工作电压VR-VI(max): 5V（max） 安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: AOZ 钳位电压 VC: 16.5V 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/Reel 结电容值: 0.6pF@1MHz 长x宽/尺寸: 1.6 x 1.0mm 存储温度: -40~+85℃ 封装/外壳: DFN6 工作温度: -40~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 12A 极性（单双向）: 单向 供应商器件封装: 6-DFN 击穿电压 V(BR)-min: 6V 最大安装高度: 0.55mm 最小包装: 3000pcs 工作电流（Typ）: 1μA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS二极管 VRWM=5 V VBR(Min)=6 V VC=16.5 V IPP=12 A Ppp=Original DFN6
工作电压VR-VI(max): 5V（max） 安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: AOZ 钳位电压 VC: 16.5V 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/Reel 结电容值: 0.6pF@1MHz 长x宽/尺寸: 1.6 x 1.0mm 存储温度: -40~+85℃ 封装/外壳: DFN6 工作温度: -40~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 12A 极性（单双向）: 单向 供应商器件封装: 6-DFN 击穿电压 V(BR)-min: 6V 最大安装高度: 0.55mm 最小包装: 3000pcs 工作电流（Typ）: 1μA
AO3424
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 30V,3.8A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 技术: MOSFET（金属氧化物） 阈值电压Vgs(th): 1.8V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 3.8A 包装: Tape/reel FET类型: N沟道 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 制造商标准提前期: 16 周 配置: Single 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80毫欧@2A，10V 供应商器件封装: SOT-23-3L FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 3.2nC 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 功率耗散（最大值）: 1.4W（Ta） 工作温度(Tj): -55°C~150°C 高度: 0.85mm 引脚数: 3Pins
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 30V,3.8A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 技术: MOSFET（金属氧化物） 阈值电压Vgs(th): 1.8V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 3.8A 包装: Tape/reel FET类型: N沟道 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 制造商标准提前期: 16 周 配置: Single 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80毫欧@2A，10V 供应商器件封装: SOT-23-3L FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 3.2nC 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 功率耗散（最大值）: 1.4W（Ta） 工作温度(Tj): -55°C~150°C 高度: 0.85mm 引脚数: 3Pins
AO3442
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：1A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：630mΩ@10V,1A N沟道,100V,1A,630mΩ@10V
安装类型: SMT 漏源极电压（Vdss）: 100V 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 阈值电压Vgs(th): 2.3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 1A 包装: Tape/reel 极性: N-Channel FET类型: N-Channel 封装/外壳: SOT23 漏极电流Idss: 1A 配置: Single 原产国家: America 供应商器件封装: SOT-23-3L FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 6nC@10V 漏源电压(Vdss): 100V 功率(Max): 1.4W 功率耗散（最大值）: 1.4W（Ta） 导通电阻Rds On(Max): 630mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：1A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：630mΩ@10V,1A N沟道,100V,1A,630mΩ@10V
安装类型: SMT 漏源极电压（Vdss）: 100V 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 阈值电压Vgs(th): 2.3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 1A 包装: Tape/reel 极性: N-Channel FET类型: N-Channel 封装/外壳: SOT23 漏极电流Idss: 1A 配置: Single 原产国家: America 供应商器件封装: SOT-23-3L FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 6nC@10V 漏源电压(Vdss): 100V 功率(Max): 1.4W 功率耗散（最大值）: 1.4W（Ta） 导通电阻Rds On(Max): 630mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃
AON7418
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：46A 功率(Pd)：6.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.7mΩ@10V,20A MOSFETN-CH30V46A8DFN
安装类型: SMT 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 30V 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 46A 漏源导通电阻 RDS(on): 30V 漏源击穿电压BVDSS: ±20V FET类型: N沟道 封装/外壳: DFN3x3A-8L 栅极源极击穿电压: 2.8mΩ 配置: Single 供应商器件封装: 8-DFN-EP（3.3x3.3） FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 65nC@10V 最小包装: 3000pcs 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 功率耗散（最大值）: 6.2W（Ta），83W（Tc） 工作温度(Tj): -55~+150℃
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：46A 功率(Pd)：6.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.7mΩ@10V,20A MOSFETN-CH30V46A8DFN
安装类型: SMT 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 30V 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 46A 漏源导通电阻 RDS(on): 30V 漏源击穿电压BVDSS: ±20V FET类型: N沟道 封装/外壳: DFN3x3A-8L 栅极源极击穿电压: 2.8mΩ 配置: Single 供应商器件封装: 8-DFN-EP（3.3x3.3） FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 65nC@10V 最小包装: 3000pcs 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 功率耗散（最大值）: 6.2W（Ta），83W（Tc） 工作温度(Tj): -55~+150℃