AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AO4618
供应商: Verical
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）,FET类型:N和P沟道,漏源极电压（Vdss）:40V,安装类型:表面贴装(SMT)
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm宽） FET类型: N和P沟道 漏源极电压（Vdss）: 40V 安装类型: 表面贴装(SMT)
供应商: Verical
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）,FET类型:N和P沟道,漏源极电压（Vdss）:40V,安装类型:表面贴装(SMT)
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm宽） FET类型: N和P沟道 漏源极电压（Vdss）: 40V 安装类型: 表面贴装(SMT)
AO6800
供应商: corestaff
供应商: corestaff
AO4616
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SO-8 FET类型：N-Channel 工作温度：-55℃~150℃ 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：30V
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 阈值电压Vgs(th): 1.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 8A,7A 漏源击穿电压BVDSS: 30V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 反向传输电容Crss: 82pF，125pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 互补型 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: 逻辑电平门 栅极电荷(Qg)(Max): 18nC@10V 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: -
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SO-8 FET类型：N-Channel 工作温度：-55℃~150℃ 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：30V
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 阈值电压Vgs(th): 1.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 8A,7A 漏源击穿电压BVDSS: 30V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 反向传输电容Crss: 82pF，125pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 互补型 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: 逻辑电平门 栅极电荷(Qg)(Max): 18nC@10V 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: -
AO4354
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SO-8 FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：30V 连续漏极电流Id：23A
安装类型: SMT 品牌: AOS 阈值电压: 2.2V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 23A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO8_150MIL 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 输入电容: 2.01nF@15V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 49nC@10V 零件状态: Active 高度: 1.65mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SO-8 FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：30V 连续漏极电流Id：23A
安装类型: SMT 品牌: AOS 阈值电压: 2.2V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 23A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO8_150MIL 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 输入电容: 2.01nF@15V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 49nC@10V 零件状态: Active 高度: 1.65mm 晶体管类型: N沟道
AON6144
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N沟道,40V,100A,2.4Ω@10V
安装类型: SMT 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 技术: MOSFET (Metal Oxide) 功率耗散: 78W 击穿电压: 40V 阈值电压: 2.4V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 3.78nF 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 70nC@10V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N沟道,40V,100A,2.4Ω@10V
安装类型: SMT 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 技术: MOSFET (Metal Oxide) 功率耗散: 78W 击穿电压: 40V 阈值电压: 2.4V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 3.78nF 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 70nC@10V 晶体管类型: N沟道
AON6236
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 40V,30A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 技术: - 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 阈值电压Vgs(th): 2.4V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 30A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: ±20V 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 栅极源极击穿电压: 10.5mΩ 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 26nC@10V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 40V,30A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 技术: - 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 阈值电压Vgs(th): 2.4V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 30A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: ±20V 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 栅极源极击穿电压: 10.5mΩ 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 26nC@10V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 晶体管类型: N沟道
AOZ8802ADI
供应商: Anychip Mall
分类: TVS二极管阵列
描述: 超低电容的TVS二极管阵列
工作电压VR-VI(max): 5V（max） 安装类型: SMT 品牌: AOZ 工作电流: 1μA 电源电压: 5V 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 1.60 x 1.00mm 封装/外壳: DFN6_1.6X1MM 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 12A 系列: AOZ8802ADI 供应商器件封装: 6-DFN 击穿电压 V(BR)-min: 6V 通道数: 2 高度: 0.55mm 结电容: 0.6pF@1MHz 零件状态: Active 类型: 转向装置（轨至轨） 应用: 以太网，HDMI
供应商: Anychip Mall
分类: TVS二极管阵列
描述: 超低电容的TVS二极管阵列
工作电压VR-VI(max): 5V（max） 安装类型: SMT 品牌: AOZ 工作电流: 1μA 电源电压: 5V 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 1.60 x 1.00mm 封装/外壳: DFN6_1.6X1MM 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 12A 系列: AOZ8802ADI 供应商器件封装: 6-DFN 击穿电压 V(BR)-min: 6V 通道数: 2 高度: 0.55mm 结电容: 0.6pF@1MHz 零件状态: Active 类型: 转向装置（轨至轨） 应用: 以太网，HDMI
AO3424
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 30V,3.8A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压: 1.8V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.8A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 2.5V，10V 封装/外壳: SOT23 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America 输入电容: 270pF@15V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 3.2nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 30V,3.8A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压: 1.8V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.8A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 2.5V，10V 封装/外壳: SOT23 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America 输入电容: 270pF@15V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 3.2nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AO3442
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 100V,1A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 阈值电压Vgs(th): 2.3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 1A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 5pF 漏极电流Idss: 1A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 2.8nC 配置: 单路 系列: - FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 6nC@10V 漏源电压(Vdss): 100V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 100V,1A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 阈值电压Vgs(th): 2.3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 1A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 5pF 漏极电流Idss: 1A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 2.8nC 配置: 单路 系列: - FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 6nC@10V 漏源电压(Vdss): 100V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AON7418
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：DFN 3.3x3.3 EP FET类型：N-Channel 工作温度：-55°C~150°C 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：30V
安装类型: SMT 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 技术: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: ±20V 功率耗散: 83W 阈值电压: 2.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 46A 长x宽/尺寸: 3.30 x 3.30mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 栅极源极击穿电压: 2.8mΩ 反向传输电容Crss: 196pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - 最小包装: 3000pcs 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 65nC@10V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：DFN 3.3x3.3 EP FET类型：N-Channel 工作温度：-55°C~150°C 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：30V
安装类型: SMT 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 技术: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: ±20V 功率耗散: 83W 阈值电压: 2.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 46A 长x宽/尺寸: 3.30 x 3.30mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 栅极源极击穿电压: 2.8mΩ 反向传输电容Crss: 196pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - 最小包装: 3000pcs 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 65nC@10V 晶体管类型: N沟道