BORN
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2N7002KW
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道MOSFET VDS=60V ID=0.2A SOT323
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: BORN 阈值电压: 1.5V 额定功率: 225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.8Ω@10V,300mA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 200mA 封装/外壳: SOT-323 元件生命周期: Active 漏极电流: 0.2A 工作温度: +150℃ 原产国家: China 输入电容: 18.5pF@30V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道MOSFET VDS=60V ID=0.2A SOT323
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: BORN 阈值电压: 1.5V 额定功率: 225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.8Ω@10V,300mA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 200mA 封装/外壳: SOT-323 元件生命周期: Active 漏极电流: 0.2A 工作温度: +150℃ 原产国家: China 输入电容: 18.5pF@30V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
PESD5V0U1BB-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管SOD523 2.7pF VC=13V IPP=3A
安装类型: SMT 钳位电压: 13V 反向漏电流 IR: 0.1μA 击穿电压: 5.5V 功率-峰值脉冲: 40W 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.30 x 0.90mm 封装/外壳: SOD-523(SC-79) 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 3A 额定电压-DC: 5V 最小包装: 5000pcs 高度: 0.7mm 结电容: 2.7pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 6.5V 引脚数: 2Pin 类型: ESD
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管SOD523 2.7pF VC=13V IPP=3A
安装类型: SMT 钳位电压: 13V 反向漏电流 IR: 0.1μA 击穿电压: 5.5V 功率-峰值脉冲: 40W 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.30 x 0.90mm 封装/外壳: SOD-523(SC-79) 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 3A 额定电压-DC: 5V 最小包装: 5000pcs 高度: 0.7mm 结电容: 2.7pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 6.5V 引脚数: 2Pin 类型: ESD
PESD15VS2UT-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管阵列SOT23 50pF VC=35V IPP=10A Ppp=350W VBR(Min)=16.7V
安装类型: SMT 钳位电压: 35V 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.1μA 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 反向断态电压: 15V 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 10A 原产国家: China 额定电压-DC: 15V 最小包装: 3000pcs 通道数: 2 认证信息: RoHS 结电容: 50pF@1MHz 高度: 1.15mm 击穿电压 -min: 16.7V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管阵列SOT23 50pF VC=35V IPP=10A Ppp=350W VBR(Min)=16.7V
安装类型: SMT 钳位电压: 35V 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.1μA 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 反向断态电压: 15V 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 10A 原产国家: China 额定电压-DC: 15V 最小包装: 3000pcs 通道数: 2 认证信息: RoHS 结电容: 50pF@1MHz 高度: 1.15mm 击穿电压 -min: 16.7V
AO3401A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 4.2A SOT-23
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 1.4W 阈值电压: -2V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 漏极电流: -5A 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: +150℃ Vgs(Max): -0.6V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 954pF 高度: 1.00mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 4.2A SOT-23
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 1.4W 阈值电压: -2V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 漏极电流: -5A 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: +150℃ Vgs(Max): -0.6V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 954pF 高度: 1.00mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
0603ESDA-LP(24)
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护 0603 VC=40V
安装类型: SMT 钳位电压: 30V 反向漏电流 IR: 200nA 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.60 x 0.80mm 反向断态电压: 24V 封装/外壳: 0603 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: - 原产国家: China 额定电压-DC: 24V 最小包装: 5000pcs 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 0.90mm 结电容: 0.2pF@1MHz 零件状态: Active 类型: ESD
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护 0603 VC=40V
安装类型: SMT 钳位电压: 30V 反向漏电流 IR: 200nA 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.60 x 0.80mm 反向断态电压: 24V 封装/外壳: 0603 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: - 原产国家: China 额定电压-DC: 24V 最小包装: 5000pcs 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 0.90mm 结电容: 0.2pF@1MHz 零件状态: Active 类型: ESD
PSD03C-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管SOD323 VC=12V IPP=45A
安装类型: SMT 钳位电压: 12V 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.5uA 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 反向断态电压: 3.3V 封装/外壳: SOD-323 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 45A 原产国家: China 额定电压-DC: 3.3V 最小包装: 3000pcs 高度: 1.00mm 结电容: 80pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 4.7V 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管SOD323 VC=12V IPP=45A
安装类型: SMT 钳位电压: 12V 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.5uA 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 反向断态电压: 3.3V 封装/外壳: SOD-323 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 45A 原产国家: China 额定电压-DC: 3.3V 最小包装: 3000pcs 高度: 1.00mm 结电容: 80pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 4.7V 引脚数: 2Pin
SMFJ5.0CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管（TVS）
描述: SOD-123 200W VRWM=5V 双向 功率TVS 电源口
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 反向漏电流 IR: 400μA 零件状态: 在售 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 极性（单双向）: 双向 工作电压VR-VI(max): 5V 击穿电压 V(BR)-min: 6.4V 钳位电压 VC: 9.2V 峰值脉冲电流（Ipp）: 21.7A 峰值脉冲功率: 200W 工作温度: -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOD-123FL
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管（TVS）
描述: SOD-123 200W VRWM=5V 双向 功率TVS 电源口
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 反向漏电流 IR: 400μA 零件状态: 在售 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 极性（单双向）: 双向 工作电压VR-VI(max): 5V 击穿电压 V(BR)-min: 6.4V 钳位电压 VC: 9.2V 峰值脉冲电流（Ipp）: 21.7A 峰值脉冲功率: 200W 工作温度: -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOD-123FL
ESD9B3.3ST5G-N
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管（TVS）
描述: 静电TVS
安装类型: SMT 钳位电压: 8V 反向漏电流 IR: 0.1μA 击穿电压: 3.8V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.05 x 0.65mm 封装/外壳: DFN-1006 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 10A 原产国家: China 额定电压-DC: 3.3V 最小包装: 10000pcs 高度: 0.55mm 结电容: 12pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 3.8V 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管（TVS）
描述: 静电TVS
安装类型: SMT 钳位电压: 8V 反向漏电流 IR: 0.1μA 击穿电压: 3.8V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.05 x 0.65mm 封装/外壳: DFN-1006 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 10A 原产国家: China 额定电压-DC: 3.3V 最小包装: 10000pcs 高度: 0.55mm 结电容: 12pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 3.8V 类型: TVS
P6SMBJ15CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS SMB VC=21.2V IPP=28.8A Ppp=600W VBR(Min)=14.3V VRMW=12.8V
安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 14.3V 电源电压: 12.8V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 反向断态电压: 12.8V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 28.8A 原产国家: China 额定电压-DC: 12.8V 击穿电压Max: 15.8V 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 2.45mm 击穿电压 -min: 14.3V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS SMB VC=21.2V IPP=28.8A Ppp=600W VBR(Min)=14.3V VRMW=12.8V
安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 14.3V 电源电压: 12.8V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 反向断态电压: 12.8V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 28.8A 原产国家: China 额定电压-DC: 12.8V 击穿电压Max: 15.8V 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 2.45mm 击穿电压 -min: 14.3V
SMFJ7.0CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: SOD-123 200W VRWM=7V 双向 功率TVS 电源口等
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 反向漏电流 IR: 100uA 零件状态: 在售 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 极性（单双向）: 双向 工作电压VR-VI(max): 7V 击穿电压 V(BR)-min: 7.78V 钳位电压 VC: 12V 峰值脉冲电流（Ipp）: 16.7A 峰值脉冲功率: 200W 工作温度: -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOD-123FL
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: SOD-123 200W VRWM=7V 双向 功率TVS 电源口等
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 反向漏电流 IR: 100uA 零件状态: 在售 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 极性（单双向）: 双向 工作电压VR-VI(max): 7V 击穿电压 V(BR)-min: 7.78V 钳位电压 VC: 12V 峰值脉冲电流（Ipp）: 16.7A 峰值脉冲功率: 200W 工作温度: -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOD-123FL