BORN
商品列表
P6SMBJ200A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 瞬态电压抑制器SMB VC=274V IPP=2.2A
安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 190V 电源电压: 171V 功率-峰值脉冲: 600W 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 反向断态电压: 171V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 2.2A 系列: P6SMBJ 额定电压-DC: 171V 击穿电压Max: 210V 高度: 2.45mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 190V 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 瞬态电压抑制器SMB VC=274V IPP=2.2A
安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 190V 电源电压: 171V 功率-峰值脉冲: 600W 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 反向断态电压: 171V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 2.2A 系列: P6SMBJ 额定电压-DC: 171V 击穿电压Max: 210V 高度: 2.45mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 190V 引脚数: 2Pin
BSD3C361V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS VR=36V Vbr=40V PD=300W IP=4A SOD323
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.5μA 击穿电压: 40V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 无卤: Yes 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 反向断态电压: 36V 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 4A 原产国家: China 额定电压-DC: 36V 认证信息: RoHS 结电容: 13pF@1MHz 高度: 1.00mm 击穿电压 -min: 40V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS VR=36V Vbr=40V PD=300W IP=4A SOD323
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.5μA 击穿电压: 40V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 无卤: Yes 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 反向断态电压: 36V 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 4A 原产国家: China 额定电压-DC: 36V 认证信息: RoHS 结电容: 13pF@1MHz 高度: 1.00mm 击穿电压 -min: 40V
0402ESDA-18N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 聚合物ESD抑制器0402 1.5pF VC=65V
安装类型: SMT 钳位电压: 50V 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.1nA 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.50mm 反向断态电压: 18V 封装/外壳: 0402 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: - 额定电压-DC: 18V 通道数: - 最小包装: 10000pcs 认证信息: RoHS 高度: 0.50mm 结电容: 1.5pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 100V 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 聚合物ESD抑制器0402 1.5pF VC=65V
安装类型: SMT 钳位电压: 50V 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.1nA 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.50mm 反向断态电压: 18V 封装/外壳: 0402 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: - 额定电压-DC: 18V 通道数: - 最小包装: 10000pcs 认证信息: RoHS 高度: 0.50mm 结电容: 1.5pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 100V 引脚数: 2Pin
SS54SMA
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:40V 电流:5A
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 总电容C: 250pF 原始制造商: BORN SEMICONDUCTOR 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.90mm 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 1mA 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 二极管类型: 肖特基 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 5A 最小包装: 5000pcs 工作温度-结: -55°C~150°C Vf正向峰值电压: 550mV 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:40V 电流:5A
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 总电容C: 250pF 原始制造商: BORN SEMICONDUCTOR 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.90mm 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 1mA 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 二极管类型: 肖特基 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 5A 最小包装: 5000pcs 工作温度-结: -55°C~150°C Vf正向峰值电压: 550mV 零件状态: Active
GBLC05C-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 双向 5V 14A 230W SOD-323
安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 6V 功率-峰值脉冲: 230W 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 存储温度: -55~+125℃ 反向断态电压: 5V 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 14A 额定电压-DC: 5V 通道数: 1 高度: 1.00mm 结电容: 1.4pF@1MHz 击穿电压 -min: 6V 类型: ESD 应用: Computer Server,Industrial,Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 双向 5V 14A 230W SOD-323
安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 6V 功率-峰值脉冲: 230W 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 存储温度: -55~+125℃ 反向断态电压: 5V 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 14A 额定电压-DC: 5V 通道数: 1 高度: 1.00mm 结电容: 1.4pF@1MHz 击穿电压 -min: 6V 类型: ESD 应用: Computer Server,Industrial,Consumer
BPESD0402-05ST
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电（ESD）保护器件
描述: 双向ESD
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压: 40V 反向漏电流 IR: 10nA 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 功率-峰值脉冲: - 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.52mm 封装/外壳: 0402 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: - 原产国家: China 额定电压-DC: 5V 最小包装: 10000pcs 认证信息: RoHS 结电容: 0.05pF@1MHz 高度: 0.38mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电（ESD）保护器件
描述: 双向ESD
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压: 40V 反向漏电流 IR: 10nA 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 功率-峰值脉冲: - 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.52mm 封装/外壳: 0402 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: - 原产国家: China 额定电压-DC: 5V 最小包装: 10000pcs 认证信息: RoHS 结电容: 0.05pF@1MHz 高度: 0.38mm 引脚数: 2Pin
BULN2803LVS
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿晶体管阵列
描述: 达林顿驱动电路系列
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 18V 原始制造商: BORN SEMICONDUCTOR Vce饱和压降: 1.3V 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vceo: 18V 输入电压: 30V 正向压降VF: 1.3V 封装/外壳: SOIC18_300MIL 输入电容(Ci): 15pF 工作温度: -40℃~+85℃ 集电极电流 Ic: 50μA 配置: 8隔离电阻 原产国家: China 通道数: 八路 认证信息: ROHS,RoHS 零件状态: Active 引脚数: 18Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿晶体管阵列
描述: 达林顿驱动电路系列
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 18V 原始制造商: BORN SEMICONDUCTOR Vce饱和压降: 1.3V 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vceo: 18V 输入电压: 30V 正向压降VF: 1.3V 封装/外壳: SOIC18_300MIL 输入电容(Ci): 15pF 工作温度: -40℃~+85℃ 集电极电流 Ic: 50μA 配置: 8隔离电阻 原产国家: China 通道数: 八路 认证信息: ROHS,RoHS 零件状态: Active 引脚数: 18Pin
PESD5V0V1BL-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 DFN1006 8pF@1MHz VBRMin=6V Ipp=5A Ppp=65W VRWM=5V VC=13V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 6V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.05 x 0.65mm 封装/外壳: DFN1006-2 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 6A 原产国家: China 额定电压-DC: 5V 最小包装: 10000pcs 认证信息: RoHS 高度: 0.55mm 结电容: 8pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 6V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 DFN1006 8pF@1MHz VBRMin=6V Ipp=5A Ppp=65W VRWM=5V VC=13V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 6V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.05 x 0.65mm 封装/外壳: DFN1006-2 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 6A 原产国家: China 额定电压-DC: 5V 最小包装: 10000pcs 认证信息: RoHS 高度: 0.55mm 结电容: 8pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 6V
BM2300
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道MOSFET VDS=20V ID=3.6A SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 漏源电流(Idss): 3.6A 击穿电压: 20V 阈值电压: 760mV 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.6A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 33pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.4nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5.4nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道MOSFET VDS=20V ID=3.6A SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 漏源电流(Idss): 3.6A 击穿电压: 20V 阈值电压: 760mV 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.6A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 33pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.4nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5.4nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
SMFJ6.5CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: SMFJ6.5CA 反向截止电压(Vrwm):6.5V 最大钳位电压:11.2V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:17.9A 击穿电压:7.22V
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 反向漏电流 IR: 250μA 零件状态: 在售 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 极性（单双向）: 双向 工作电压VR-VI(max): 6.5V 击穿电压 V(BR)-min: 7.22V 钳位电压 VC: 11.2V 峰值脉冲电流（Ipp）: 17.9A 峰值脉冲功率: 200W 工作温度: -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOD-123FL
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: SMFJ6.5CA 反向截止电压(Vrwm):6.5V 最大钳位电压:11.2V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:17.9A 击穿电压:7.22V
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 反向漏电流 IR: 250μA 零件状态: 在售 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 极性（单双向）: 双向 工作电压VR-VI(max): 6.5V 击穿电压 V(BR)-min: 7.22V 钳位电压 VC: 11.2V 峰值脉冲电流（Ipp）: 17.9A 峰值脉冲功率: 200W 工作温度: -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOD-123FL