BORN
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P6SMBJ200A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 瞬态电压抑制器SMB VC=274V IPP=2.2A
安装类型: SMT 钳位电压: 274V 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 190V 功率-峰值脉冲: 600W 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 2.2A 原产国家: China 额定电压-DC: 171V 最小包装: 3000pcs 高度: 2.45mm 击穿电压 -min: 190V 引脚数: 2Pin 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 瞬态电压抑制器SMB VC=274V IPP=2.2A
安装类型: SMT 钳位电压: 274V 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 190V 功率-峰值脉冲: 600W 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 2.2A 原产国家: China 额定电压-DC: 171V 最小包装: 3000pcs 高度: 2.45mm 击穿电压 -min: 190V 引脚数: 2Pin 类型: TVS
BSD3C361V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS VR=36V Vbr=40V PD=300W IP=4A SOD323
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 0.5μA 击穿电压: 40V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 无卤: Yes 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 封装/外壳: SOD-323 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 4A 原产国家: China 额定电压-DC: 36V 最小包装: 3000pcs 结电容: 13pF@1MHz 高度: 1.00mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 40V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS VR=36V Vbr=40V PD=300W IP=4A SOD323
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 0.5μA 击穿电压: 40V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 无卤: Yes 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 封装/外壳: SOD-323 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 4A 原产国家: China 额定电压-DC: 36V 最小包装: 3000pcs 结电容: 13pF@1MHz 高度: 1.00mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 40V
0402ESDA-18N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 聚合物ESD抑制器0402 1.5pF VC=65V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.1nA 电源电压: 18V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.50mm 封装/外壳: 0402 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: - 原产国家: China 额定电压-DC: 18V 通道数: - 最小包装: 10000pcs 高度: 0.50mm 结电容: 1.5pF@1MHz 击穿电压 -min: 100V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 聚合物ESD抑制器0402 1.5pF VC=65V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.1nA 电源电压: 18V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.50mm 封装/外壳: 0402 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: - 原产国家: China 额定电压-DC: 18V 通道数: - 最小包装: 10000pcs 高度: 0.50mm 结电容: 1.5pF@1MHz 击穿电压 -min: 100V
SS54SMA
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 SMA VRRM=40V Io=5A IR=1mA
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Born 总电容C: 250pF 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.90mm 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 1mA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 二极管类型: 肖特基 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 5A 工作温度-结: -55°C~150°C Vf正向峰值电压: 550mV 高度: 2.62mm
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 SMA VRRM=40V Io=5A IR=1mA
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Born 总电容C: 250pF 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.90mm 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 1mA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 二极管类型: 肖特基 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 5A 工作温度-结: -55°C~150°C Vf正向峰值电压: 550mV 高度: 2.62mm
GBLC05C-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 双向 5V 14A 230W SOD-323
安装类型: SMT 钳位电压: 17V 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1μA 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 无卤: Yes 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 14A 原产国家: China 额定电压-DC: 5V 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 1.00mm 结电容: 1.4pF@1MHz 击穿电压 -min: 6V 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 双向 5V 14A 230W SOD-323
安装类型: SMT 钳位电压: 17V 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1μA 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 无卤: Yes 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 14A 原产国家: China 额定电压-DC: 5V 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 1.00mm 结电容: 1.4pF@1MHz 击穿电压 -min: 6V 引脚数: 2Pin
BPESD0402-05ST
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 双向 5V 0402
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 10nA 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.52mm 存储温度: -40~+125℃ 反向断态电压: 5V 封装/外壳: 0402 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: - 额定电压-DC: 5V 通道数: 1 结电容: 0.05pF@1MHz 高度: 0.38mm 零件状态: Active 类型: ESD 应用: Computer Server,Industrial,Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 双向 5V 0402
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 10nA 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.52mm 存储温度: -40~+125℃ 反向断态电压: 5V 封装/外壳: 0402 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: - 额定电压-DC: 5V 通道数: 1 结电容: 0.05pF@1MHz 高度: 0.38mm 零件状态: Active 类型: ESD 应用: Computer Server,Industrial,Consumer
BULN2803LVS
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿晶体管
描述: 达林顿驱动电路系列
安装类型: SMT 品牌: BORN 功率耗散: - Vce饱和压降: 1.3V 包装: Tape/reel 正向压降VF Min: 1.3V 集射极击穿电压Vceo: 18V 输入电压: 30V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 180V 长x宽/尺寸: 11.55 x 7.50mm 直流反向电流Ir Max: 100µA 封装/外壳: SOIC18_300MIL 工作温度: -40℃~+85℃ 集电极电流 Ic: 50μA 配置: 8隔离电阻 原产国家: China 认证信息: ROHS,RoHS 正向压降VF Max: 1.4V 高度: 2.65mm 引脚数: 18Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿晶体管
描述: 达林顿驱动电路系列
安装类型: SMT 品牌: BORN 功率耗散: - Vce饱和压降: 1.3V 包装: Tape/reel 正向压降VF Min: 1.3V 集射极击穿电压Vceo: 18V 输入电压: 30V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 180V 长x宽/尺寸: 11.55 x 7.50mm 直流反向电流Ir Max: 100µA 封装/外壳: SOIC18_300MIL 工作温度: -40℃~+85℃ 集电极电流 Ic: 50μA 配置: 8隔离电阻 原产国家: China 认证信息: ROHS,RoHS 正向压降VF Max: 1.4V 高度: 2.65mm 引脚数: 18Pin
PESD5V0V1BL-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 DFN1006 8pF@1MHz VBRMin=6V Ipp=5A Ppp=65W VRWM=5V VC=13V
安装类型: SMT 钳位电压: 13V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 6V 功率-峰值脉冲: 65W 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.05 x 0.65mm 反向断态电压: 5V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN1006-2 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 6A 额定电压-DC: 5V 通道数: 1 最小包装: 10000pcs 高度: 0.55mm 结电容: 8pF@1MHz 击穿电压 -min: 6V 类型: ESD
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 DFN1006 8pF@1MHz VBRMin=6V Ipp=5A Ppp=65W VRWM=5V VC=13V
安装类型: SMT 钳位电压: 13V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 6V 功率-峰值脉冲: 65W 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.05 x 0.65mm 反向断态电压: 5V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN1006-2 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 6A 额定电压-DC: 5V 通道数: 1 最小包装: 10000pcs 高度: 0.55mm 结电容: 8pF@1MHz 击穿电压 -min: 6V 类型: ESD
BM2300
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道MOSFET VDS=20V ID=3.6A SOT23
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 3.6A 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 760mV 额定功率: 1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ@4.5V,3.6A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 33pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 输入电容: 340pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5.4nC 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道MOSFET VDS=20V ID=3.6A SOT23
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 3.6A 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 760mV 额定功率: 1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ@4.5V,3.6A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 33pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 输入电容: 340pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5.4nC 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
SMFJ6.5CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: SMFJ6.5CA 反向截止电压(Vrwm):6.5V 最大钳位电压:11.2V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:17.9A 击穿电压:7.22V
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 反向漏电流 IR: 250μA 零件状态: 在售 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 极性（单双向）: 双向 工作电压VR-VI(max): 6.5V 击穿电压 V(BR)-min: 7.22V 钳位电压 VC: 11.2V 峰值脉冲电流（Ipp）: 17.9A 峰值脉冲功率: 200W 工作温度: -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOD-123FL
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: SMFJ6.5CA 反向截止电压(Vrwm):6.5V 最大钳位电压:11.2V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:17.9A 击穿电压:7.22V
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 反向漏电流 IR: 250μA 零件状态: 在售 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 极性（单双向）: 双向 工作电压VR-VI(max): 6.5V 击穿电压 V(BR)-min: 7.22V 钳位电压 VC: 11.2V 峰值脉冲电流（Ipp）: 17.9A 峰值脉冲功率: 200W 工作温度: -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOD-123FL